AIP会议录 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 摩洛哥非斯（2019年3月25-27日）] 第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 化学气相沉积法制备的微晶硅带区熔再结晶

摘要： 我们展示了一种光学区熔再结晶（ZMR）系统所取得的成果，该系统将两盏卤素灯的辐射聚焦于微晶硅（μc-Si）带状样品表面，形成一条长约2毫米、宽度约2毫米的熔融区域（温度约1414oC）。此前采用在线光学化学气相沉积（CVD）系统制备了尺寸达25×100平方毫米的μc-Si带状样品，该系统在硅粉基底上生长硅层。在ZMR系统中，μc-Si带状样品在氩气氛围中进行再结晶，并通过步进电机以1至6毫米/分钟的恒定速度牵引带材，使熔融区沿带材移动，将整个样品再结晶为多晶硅（mc-Si）带材，其平均晶粒尺寸介于[1；10]毫米范围内。研究发现，μc-Si带材的物理特性（如粉末基底掺杂、孔隙率、厚度以及CVD步骤中用作基底的粉末晶粒尺寸）对再结晶过程及ZMR处理后所得mc-Si带材的电学性能具有关键影响。对再结晶样品进行的少子寿命测量表明，需解决晶体质量改进及可能存在的杂质问题。