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[2018年IEEE国际超声研讨会(IUS) - 日本神户 (2018.10.22-2018.10.25)] 2018年IEEE国际超声研讨会(IUS) - 用于BAW/SAW器件的高频光学探头
摘要： 用于LED和OLED器件的半导体光学特性。我们提出一种基于外差干涉测量的新型光学检测工具，能高精度识别半导体材料表面及亚表面缺陷。该工具工作频率可达25GHz，检测极限低于1纳米。此方法特别适用于光电子行业质量控制，可对LED和OLED等器件进行无损检测。结果表明，该工具能有效识别常规光学显微镜无法检测的缺陷。
关键词： 无损检测、缺陷检测、光电子学、半导体器件、发光二极管、有机发光二极管、外差干涉测量法
更新于2025-09-23 15:22:29
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电子开发中的红外摄像机
摘要： 过去几年电子行业发展呈现出一个明显趋势：封装密度不断提高。如今的智能手机比几年前强大得多，但体积并未增大。这一现象同样适用于IT设备、汽车电子和消费电子产品。因此，必须格外关注由此产生的发热问题。现代红外测量技术在这方面是一个重要辅助手段。
关键词： 电子开发、散热、红外摄像机、半导体器件、温度测量、功率损耗
更新于2025-09-23 15:21:01
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[IEEE 2019光子学与电磁学研究春季研讨会（PIERS-Spring） - 意大利罗马（2019.6.17-2019.6.20）] 2019光子学与电磁学研究春季研讨会（PIERS-Spring） - 基于基板集成波导缝隙阵列天线的准无衍射波束产生与调控
摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该模型通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露和老化效应变化的MOS静电特性及器件工作特性影响。该方法在大块硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件中得到验证，其公式体系通过TCAD仿真及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到证实。该建模方法适用于模拟先进MOS器件和IC中的TID与老化效应，且与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证实例。
关键词： MOSFET、SOI、半导体器件、紧凑建模、电离辐射、老化效应
更新于2025-09-23 15:19:57
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面向数据中心内部应用的超高速2:1数字选择器与行波等离子体调制器IM/DD发射机（工作速率222 GBaud）
摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方案通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露及老化效应变化的MOS静电特性与器件工作特性影响。该建模方法在大块硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件中得到验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得以证实。该建模方法适用于模拟先进MOS器件和IC中的TID与老化效应，且与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证示例。
关键词： 紧凑建模、绝缘体上硅（SOI）、电离辐射、半导体器件、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、老化效应
更新于2025-09-23 15:19:57
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[IEEE 2020年第十届计算与通信研讨会及会议(CCWC) - 美国内华达州拉斯维加斯(2020.1.6-2020.1.8)] 2020年第十届计算与通信研讨会及会议(CCWC) - 基于连续子空间学习的DFB激光芯片缺陷检测
摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方法通过计算表面势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露和老化效应变化的MOS静电特性及器件工作特性影响。该建模方法在大规模和绝缘体上硅（SOI）MOS器件中得到验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到证实。该建模方法适用于先进MOS器件和IC中TID与老化效应的仿真，并与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID与老化效应的电路级验证示例。
关键词： MOSFET、SOI、半导体器件、紧凑建模、电离辐射、老化效应
更新于2025-09-23 15:19:57
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ITO、AlInN、等离子体GaN及顶部金属化对半极性绿光边发射激光器影响的数值研究
摘要： 本文展示了针对工作于绿光波段的连续波（CW）室温（RT）半极性InGaN/GaN边发射激光器（EELs）的计算分析结果。在计算中，我们聚焦于能增强光学模式限制的、最具前景的包层材料与设计方案。结构改进包括优化顶部金金属化层、部分用ITO替代p型GaN包层，以及引入低折射率晶格匹配的AlInN或等离子体激元GaN区域。基于数值模拟结果，我们证明通过对工作在约540纳米的绿光EELs采用新型材料改进方案，可将其连续波室温阈值电流密度从超过11千安/平方厘米降至低于7千安/平方厘米。
关键词： 边发射激光器，氮化铟镓/氮化镓，数值模拟，半导体器件
更新于2025-09-23 15:19:57
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亚太赫兹回旋管对纳秒级半导体腔开关的应力测试
摘要： 基于谐振腔可逆变Q因子的纳秒级半导体开关，是产生亚太赫兹频段无限连贯脉冲序列最具前景的器件。同一器件可实现从纳秒到数十秒的脉冲时长调节。虽然此类亚太赫兹开关已通过半导体晶体管、返波振荡器等多种连续波发生器测试，但其设计初衷是与回旋管（亚太赫兹频段最强相干微波辐射源）配合使用。本文展示了300GHz频段连续波与脉冲回旋管（脉宽达10秒、极限微波功率180kW）的多组实验结果，提出的开关微波功率极限简化理论估算与实验高度吻合，有效规避了亚太赫兹测量盲区。
关键词： 激光器、开关、波导、回旋管、半导体器件、微波谐振器、产生、光开关
更新于2025-09-23 09:27:09
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[2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC） - 德国慕尼黑（2019年6月23日-27日）] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC） - 构建城郊量子网络链路
摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方案通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露及老化效应变化的MOS静电特性与器件工作特性影响。该建模方法以体硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件为例进行验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到验证。该建模方法适用于模拟先进MOS器件与IC中的TID和老化效应，且与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证实例。
关键词： 紧凑建模、绝缘体上硅（SOI）、电离辐射、半导体器件、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、老化效应
更新于2025-09-19 17:13:59
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适用于77K和4K光学数据应用的VCSEL激光器特性
摘要： 小型垂直腔面发射激光器（VCSEL）在低温数据传输中兼具极低功耗与高可靠性优势。该技术适用于77K工作的焦平面阵列相机，以及4K超导电路数据提取场景?；?至6微米无氧化层小腔体VCSEL的理论分析表明（此类器件在室温下已能高效运行），通过计算77K和4K工况下的激光器响应，可推算出实现低温光链路所需调制速率的偏置条件。温度影响表现为：阈值电流随温度降低而减小，微分增益随温度降低而增大。这两个效应使得小腔体VCSEL只需极低偏置电流即可达到低温光数据链路所需的数据速率。研究还通过改变顶部镜面对数量来分析腔体设计对速率和比特能量的影响。本设计方案与性能预测为开发高效超小型VCSEL阵列（应用于光互连领域）奠定了基础。
关键词： 垂直腔面发射激光器、低温学、半导体器件、激光物理、高速调制、光数据传输
更新于2025-09-19 17:13:59
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[2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 紫外线照射：一种制造纳米线太阳能电池的新颖加工方法
摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方案通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露及老化效应变化的MOS静电特性与器件工作特性影响。该建模方法以体硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件为例进行验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到验证。该建模方法适用于先进MOS器件与IC中TID和老化效应的仿真，并与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证示例。
关键词： MOSFET、SOI、半导体器件、紧凑建模、电离辐射、老化效应
更新于2025-09-19 17:13:59