策略性放置水滴对二硫化钼单层生长的影响

摘要： 具有可调带隙的二维（2D）二硫化钼（MoS2）薄膜在下一代电子和光电器件领域展现出巨大潜力。目前大面积高质量MoS2单层的合成实验存在可重复性不足的问题，且化学气相沉积法生长MoS2的结果受多个相互关联的生长参数影响。本研究通过在生长腔室装载前，有策略地将水滴置于生长基底和/或源材料中，实现了MoS2单层的可控生长。生长基底与源材料中水滴的体积及分布直接影响所生成MoS2的形貌。通过扫描电子显微镜（SEM）、拉曼显微镜和原子力显微镜（AFM）表征发现，MoS2层数、尺寸及其在基底上的分布与水滴定位位置存在显著关联。这项利用水滴作为促进剂的MoS2单层生长研究，提供了一种简单可靠且可重复的实验技术，能实现高稳定性的生长过程。