通过应变工程增强单层SnSe的光吸收：一项DFT计算研究

摘要： 采用APW+lo方法在DFT框架下研究了应变对单层SnSe电子和光学性质的影响。所施加的应变导致主要由s/p杂化构成的SnSe带隙发生直接-间接跃迁。扶手椅方向应变εac和锯齿方向应变εzz使未受应变时的1.05 eV带隙在12%压缩下降至0 eV，但在12%拉伸时带隙降至0.726-0.804 eV。双轴应变εb下的带隙始终随12%压缩至12%拉伸而增大。我们观察到介电函数实部ε1(ω)和虚部ε2(ω)的幅度增强14%-30%，峰值分布扩展至红外和紫外区域，且ε1(ω)和ε2(ω)光谱中出现新峰。因此，紫外区域的光吸收α(ω)显著增强，甚至在红外区域的更低能量处开始出现吸收。