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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018.7.9-2018.7.13)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 钻石针尖场发射体电子能谱中单电子隧穿现象的证据
摘要： 利用电子能量谱研究了微米级金刚石针尖的场发射现象。通过高发射电流处理对原始金刚石针尖的原子表面结构进行改性，随后获得了典型的阶梯状电流-电压特性曲线——这是由金刚石针尖表面形成的碳纳米结构中库仑阻塞效应引发单电子隧穿所致。特征性电子能谱包含多个峰位，每个峰对应发射纳米结构的特定充电态。通过测量能谱确定了库仑阻塞参数（如充电能），并揭示了场发射系统中单电子效应的特殊特征。
关键词： 电子能量谱学、库仑阻塞、单电子隧穿、场致发射
更新于2025-09-23 15:21:21
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三端量子点中的单电子电流增益
摘要： 量子点（QD）与源极和漏极电极之间的电导通常通过邻近的栅极电极进行静电控制。观测到电导随栅极电压呈周期性调制，在库仑阻塞和单电子隧穿之间切换。通过调控连接量子点的第三根（"基极"）引线的费米能级，我们成功实现了从源极到漏极的单电子电流开关，且该电流超过流向或来自基极引线的单电子电流。本文提出了一个简明模型，揭示了量子点内基态和激发态在单电子晶体管动态运行中的作用。
关键词： 电子波函数、库仑阻塞、单电子隧穿、量子点激发
更新于2025-09-23 15:19:57
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硬壁InAs/InP纳米线量子点中的微波辅助隧穿效应
摘要： 随着电子电路的微型化，基于半导体量子点的元件对未来技术的重要性与日俱增。它们在外部刺激下的响应本质上取决于其量子特性。本研究探究了硬壁InAs/InP纳米线在非共振微波驱动下的单电子隧穿现象。这种异质结构纳米线包含InAs量子点（QDs），并展现出不同的隧穿电流状态。特别值得注意的是，在源漏偏压低至几毫伏时，库仑菱形区会随微波功率增加而对比度增强地扩展，并呈现多重电流极性反转。该行为可通过微波场诱导的电压涨落进行建模，其表现特征取决于参与隧穿过程的离散能级间的相互作用。
关键词： 微波辅助隧穿、单电子隧穿、硬壁InAs/InP纳米线、量子点、库仑钻石
更新于2025-09-19 17:13:59