电场诱导的GaN压电半导体陶瓷增韧

摘要： 本文通过实验与数值方法研究了外加电场对极化GaN压电半导体陶瓷断裂韧性的影响。结果表明：在0.83 kV/cm电场强度下，断裂韧性提升22%，且随着电场继续增强，断裂韧性保持不变。这与传统压电陶瓷"外加电场导致断裂韧性下降"的特征完全不同，其差异原因可归因于自由电子的重新分布。该发现有望为压电半导体结构与器件的可靠性设计提供指导。