全光学InAsP/InP纳米线开关集成于硅光子晶体中

摘要： 我们报道了在通信波长下，利用集成于硅光子晶体中的亚波长InP/InAsP纳米线成功实现全光开关。本研究采用基于光子晶体中空气沟槽的两种不同混合纳米线腔体。这些混合腔体兼具III-V族材料的功能特性与硅波导的低传输损耗优势。由纳米线诱导的线缺陷光子晶体腔展现出25000的品质因数，高于我们先前演示的混合系统?？厥奔湮?50皮秒，属于目前已报道纳米线开关中最快之列。我们发现开关时间与品质因数呈明显相关性。通过改变泵浦功率的测量估算出开关能量为数百飞焦耳，该数值低于相同泵浦条件下无纳米线及空气沟槽的参考硅光子晶体腔。这表明集成于硅光子晶体中的InP/InAsP纳米线有助于降低开关能耗。