热原子层沉积AlN在GaN上改进的界面特性

摘要： 研究了原子层沉积氮化铝（AlN）在n型氮化镓（GaN）衬底上的界面特性。电容-电压（C-V）特性表明，24纳米厚AlN样品的界面态密度低于7.4纳米厚AlN样品。X射线光电子能谱（XPS）分析显示，24纳米厚AlN在AlN/GaN界面附近形成了更优质的AlN。随着AlN厚度增加，Al 2p芯能级谱的主峰向较低结合能方向移动，这可能是由于AlN与GaN之间晶格失配导致的应变弛豫所致。