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通过溶液沉积HfO<sub>x</sub>薄膜改善碳化硅基非易失性存储器的电阻开关性能
摘要： 在本研究中，我们采用具有优异物理特性的SiC层制备了阻变存储器（ReRAM）器件。通过构建Ti/SiC/Pt和Ti/HfOx/SiC/Pt结构的器件并研究其存储特性发现：Ti/SiC/Pt型ReRAM器件虽表现出稳定的双极性阻变特性，但存储窗口较??；而Ti/HfOx/SiC/Pt型器件不仅具有较大的存储窗口和较低的工作电压，更展现出超过500次循环的稳定耐久性，以及在室温和高温环境下1×10?秒的出色保持特性。此外，通过调节复位停止电压，该器件可呈现多级导通状态，且各电阻态均具备优异的耐久性能。HfOx/SiC双层结构在可见光波段的平均透射率达到87%，这一高透光率表明采用堆叠法制备的HfOx/SiC双层材料有望成为适用于高可靠性非易失性存储器及透明电子器件的理想材料，即使在严苛环境中亦能保持性能。
关键词： 双层结构，阻变随机存取存储器，硼电阻开关，碳化硅，多级单元（MLC）
更新于2025-09-04 15:30:14
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采用低压化学气相沉积法制备双层SiN<sub>x</sub>栅介质的GaN晶体管中增强的栅堆叠稳定性
摘要： 我们报道了通过采用双层SiNx作为栅介质，在氮化镓金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管（MISHEMT）中实现了增强的栅堆叠稳定性。为实现该双层栅介质方案，先通过低压化学气相沉积沉积一层富硅SiNx中间层，再沉积高阻SiNx层。富硅SiNx能有效抑制介质/AlGaN势垒界面的陷阱现象，上层高阻SiNx层可大幅阻断栅极漏电流以实现大栅摆幅。与采用单一富硅或高阻SiNx层的MISHEMT相比，双层栅介质MISHEMT兼具两者优势，实现了阈值电压稳定且漏电流低的栅堆叠。这些结果表明，采用双层SiNx栅介质方案开发高性能GaN MISHEMT在高效功率应用领域具有巨大潜力。
关键词： 低压化学气相沉积，氮化硅，双层结构，栅极介质，金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管，氮化镓
更新于2025-09-04 15:30:14