基于微轮腔的双频发光二极管

摘要： 近年来，紧凑型宽带电致发光（EL）器件备受关注。本研究基于GaN微轮腔制备了峰值发射波长为438 nm的发光二极管（LED），通过在LED表面涂覆CH3NH3PbBr3材料实现了512 nm的另一发射峰。该微轮腔LED采用光刻和感应耦合等离子体刻蚀工艺制成，其光电性能通过EL光谱、发光强度、半高全宽及3 dB带宽等参数进行表征。与未添加CH3NH3PbBr3层的器件相比，本器件具有双波段照明特性和更高的3 dB带宽，在光通信领域具有应用潜力。