低温下铜(111)表面单个CuPc分子的可控切换

摘要： 在吸附于Cu(111)表面的单个酞菁铜分子上方密集的恒定高度网格上，测量了隧穿电流随施加偏压变化的低温特性。通过适当调节偏压，该分子可在两种构型间可逆切换——这两种构型在隧穿电流图中表现为相对极大值对旋转90°?；诎兜禄嗷プ饔玫拿芏确汉扑憬沂玖似涞撞愎瓜螅阂桓鯟2v对称基态，以及两个能量等效态（分子绕其中心扭转并旋转±7°）。当针尖偏压超过200 mV时，观察到如先前电报噪声测量[Schaffert等人，《自然·材料》12卷223页(2013年)]所示的位置依赖性电流切换现象。在零电压附近的小电压区间内，实测电流呈现双稳态特性。通过将电压扫过分子上方特定位置的明确定义正负阈值，或采用恒定电流扫描配合降低的反向偏压，可触发切换至特定状态。