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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 导带非抛物性对GaAs/Ga1?xAlxAs双半V形量子阱非线性光学特性的影响

    摘要： 本文采用紧致密度矩阵方法，研究了导带非抛物性（NPBE）对双半V形GaAs/Ga1?xAlxAs量子阱（QWs）电子态相关的三次谐波产生（THG）、线性与非线性子带间光学吸收系数（OACs）的影响。同时基于位置依赖的有效质量体系，通过有限差分与自洽技术计算该系统的电子结构。我们对比了考虑与非考虑NPBE两种情况的结果，发现：（1）NPBE对双半V形量子阱的子带能级具有显著影响；（2）由于采用自洽选取的能量相关有效质量m*(E)，考虑NPBE时THG与非线性OACs共振峰的振幅与位置呈现复杂变化行为。

    关键词： 有限差分法、非抛物线效应、双量子阱、光学特性

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 外场作用下"12-6"型调谐GaAs/GaAlAs双量子阱中施主杂质态的结合能与光吸收

    摘要： 我们研究了"12-6"调谐GaAs/GaAlAs双量子阱中s对称基态与第一激发浅施主杂质态的结合能，以及包含一阶和三阶修正的总1s→2s吸收系数随杂质位置、结构尺寸及电场磁场强度的变化关系。结果表明：通过合理选择样品几何结构、材料参数及外加场强，可调控调谐GaAs/GaAlAs双量子阱的电子与光学特性，这将为光电子学领域带来新的潜在应用。

    关键词： 双量子阱，吸收系数，电场和磁场，施主杂质

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 具有渐变折射率基区的高性能双量子阱垂直腔面发射晶体管激光器设计

    摘要： 分析了不同的限制结构，以实现具有渐变折射率分离限制异质结构的双量子阱垂直腔面发射晶体管激光器更高的光电性能。在电流密度的扩散项中加入漂移分量并求解新方程组后，获得了该器件改进的电光性能。对原始结构进行带隙工程预测，可同时提升电流增益（超过两倍）和-3 dB光学带宽（提高1.5 GHz）。通过在基区应用AlξGa1-ξAs渐变层，其他虽非关键但重要的性能指标（包括光输出功率和阈值电流）也获得最高达20%的改善。

    关键词： 垂直腔晶体管激光器，渐变折射率基区，光电性能，双量子阱，带隙工程

    更新于2025-09-19 17:13:59