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oe1(光电查) - 科学论文

5 条数据
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  • 硅基超薄势垒AlGaN/GaN异质结构上E/D模式GaN MIS-HEMTs的单片集成

    摘要： 在硅衬底上生长的超薄势垒（UTB）AlGaN/GaN异质结构上，制备了单片集成的增强/耗尽模式（E/D模式）氮化镓基金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMTs）及其反相器。通过在UTB-AlGaN/GaN异质结构中采用渐变AlGaN背势垒，实现了E模式MIS-HEMTs高达+3.3 V的阈值电压（VTH）。所制备的MIS-HEMT反相器在8 V供电电压下具有7.76 V的高逻辑摆幅电压，且阈值电压迟滞及偏差小于0.2 V。UTB AlGaN/GaN-on-Si技术为基于MIS栅极的驱动器和功率晶体管的集成提供了良好平台。

    关键词： 单片集成、超薄势垒、氮化镓、增强/耗尽模式、金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管、反相器、氮化铝镓/氮化镓异质结构、硅衬底

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 采用TE20模基片集成波导的通信紧凑型CRLH漏波天线，实现广域空间辐射覆盖

    摘要： 本文介绍了一种用于经典全桥单相逆变器的组合调制方法。与常规的功率级偶次谐波消除方法不同，所提方案在控制环节的脉宽调制（PWM）阶段即消除偶次谐波，并通过单桥臂高频开关实现高性价比设计?；诘统杀臼中藕趴刂破髌教?，采用实时计算的常规采样技术验证了该方法在500W单相电压源逆变器中的可行性。文中给出了新方法的开关损耗、谐波畸变等性能特性，并与传统逆变器调制方法进行对比。

    关键词： 开关频率、组合逻辑电路、反相器、脉宽调制（PWM）、碳化硅、谐波失真

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 二硫化钨纳米片/铟镓锌氧薄膜异质结用于光电探测器、反相器及交流整流电路

    摘要： 在玻璃衬底上制备并展示了一种结合二维WSe?纳米片与非晶InGaZnO（a-IGZO）薄膜的异质结PN二极管及反相器电路。该p-WSe?/n-IGZO异质结二极管呈现整流特性，在反向偏压下能有效响应红光（λ=620 nm）。由异质结PN二极管与IGZO场效应晶体管（FET）组合构成的二极管负载反相器，在5V供电电压下展现出约12的峰值电压增益。当对PN二极管施加反向偏压时，相同PN二极管与n-FET的集成结构显示出可见光探测能力。此外，经氧等离子体处理后的PN二极管因WSe?纳米片的空穴掺杂效应，其开/关整流比显著提升至≈5×10?。这种改进的PN二极管与IGZO FET集成后构成了交流整流电路。

    关键词： 场效应晶体管（FET）、反相器、二硫化钨（WSe2）、铟镓锌氧（IGZO）、异质结PN二极管、交流整流器

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 无迟滞六方氮化硼封装二维半导体晶体管、NMOS与CMOS反相器

    摘要： 石墨烯及随后发现的层状半导体过渡金属二硫化物（TMDCs）展现出众多奇异物理特性和广阔的器件应用前景。这类二维半导体TMDCs因其原子级厚度和非零带隙，在下一代电子器件应用中尤为引人注目。然而，由于缺乏体相体积，其二维特性使得这些晶体中的电子输运对环境条件（如湿度、吸附物及邻近电介质中的俘获电荷）高度敏感。这种环境敏感性导致基于二维材料的电路与器件存在严重且不利的环境诱导迟滞效应，必须消除该效应才能实现可靠运行与计算。通过机械组装范德华（vdWs）异质结和边缘接触石墨电极，可完全密封并?；ざ氲继骞档?。本研究制备了六方氮化硼（hBN）封装的高性能无迟滞二维半导体晶体管、n型金属氧化物半导体及互补金属氧化物半导体反相器。hBN封装为半导体n-MoS2和p-WSe2提供了卓越的环境防护，从而实现了无迟滞的二维电子特性——这是发展二维电子学与计算技术所必需的关键条件。

    关键词： 无迟滞、范德华(vdWs)异质结构、反相器、二维材料、晶体管

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • [2018年IEEE纳米尺度操纵、制造与测量国际会议(3M-NANO) - 中国杭州(2018.8.13-2018.8.17)] 2018年IEEE纳米尺度操纵、制造与测量国际会议(3M-NANO) - 基于IGZO薄膜晶体管的全摆幅逆变器用于柔性电路

    摘要： 非晶氧化物半导体（AOS）具有高迁移率和可靠的稳定性，尤其是铟镓锌氧化物（IGZO）。它是最有前途的材料，有望在不久的将来应用于显示器和集成电路的制造。特别是IGZO薄膜晶体管（TFT）凭借其电学和柔性特性优势，受到了广泛关注。在我们的工作中，IGZO TFT是在180°C的温度下制备在羟基化聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）衬底上的，该温度明显低于传统工艺。IGZO TFT的实验性能表明，其迁移率和开关比分别高达8 cm2V?1s?1和10?。此外，基于IGZO TFT的反相器已在PET衬底上实现，其增益达到-20，显示出基于氧化物TFT的柔性逻辑电路的潜力。

    关键词： IGZO TFT，柔性，反相器

    更新于2025-09-09 09:28:46