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在钛箔上原位合成并定向生长花状SrTiO3以增强光电化学性能
摘要: 花状钛酸锶(SrTiO3)的定向生长使其具有高效的光电催化析氧反应性能,在1 M KOH溶液中于600 mV(相对于可逆氢电极)下展现出3.38 mA/cm2的高极限电流密度,同时具有低过电势和塔菲尔斜率(84 mV/dec)。以钛箔作为基底能显著增强电子转移,并且通过调节NaOH浓度和HF可以控制具有高(110)晶面暴露度的花状SrTiO3的生长。因此,分别使用钛和F?作为基底及形貌导向添加剂,是一种可行且简便的策略,可在光电催化剂上诱导出高能表面,从而实现高效的水分解光电催化。
关键词: 取向生长,花状钛酸锶,光电催化
更新于2025-09-24 03:08:59
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采用射频磁控溅射法制备片状ZnO/Si发光二极管及其电致发光特性
摘要: 通过射频磁控溅射法在p型单晶硅上沉积纳米级ZnO,制备出了片状ZnO/Si发光二极管(LED)。XRD图谱中可观察到(100)、(002)和(101)衍射峰。但随着溅射时间延长,(100)和(101)衍射峰强度逐渐减弱,(002)衍射峰强度则逐渐增强。降低溅射功率时,制备的ZnO薄膜表现出更好的(002)取向生长特性。ZnO/Si LED的电致发光(EL)可分解为三个发射带:分别源自带隙、锌间隙或氧空位以及浅能级的紫外、绿色和橙色发射。在较低溅射功率下,橙色发射消失。这表明其结构和EL特性对制备条件非常敏感。未来工作中为实现定向应用,优化和调控制备条件至关重要。
关键词: 氧化锌/硅发光二极管、晶体生长、电致发光、取向生长、发光
更新于2025-09-16 10:30:52