外延生长 || 具有较高晶格失配的InGaAs光电探测器的外延生长与器件特性

摘要： 本章回顾了我们关于截止波长>1.7 μm的波长扩展型InGaAs光电探测器的研究工作。通过气源分子束外延技术在InP和GaAs衬底上生长了多种InGaAs/InAlAs p-i-n异质结结构，介绍了InGaAs光电探测器结构及线性、阶梯式和一步连续InAlAs渐变缓冲层等形变相缓冲层技术，以及组分过冲和数字合金等位错抑制方法。通过原子力显微镜、高分辨X射线衍射与倒易空间映射、截面透射电子显微镜和电流-电压测试等手段评估了材料特性和器件性能。这些结果为晶格失配材料体系上形变器件结构的发展提供了线索。