半导体制造中缺陷检测的CAD布局分析

摘要： 我们目睹了消费电子设备尺寸持续缩小且电池续航更长的趋势。专用集成电路技术实现了将多个电子器件集成于同一晶粒上，同时通过优化晶体管和器件面积降低了功耗。开发此类半导体工艺及半导体制造过程中的监控方法是一项重大挑战。每次主要制程完成后，晶圆都需接受检测以发现可能导致后续芯片失效的异常情况。采用紫外线或深紫外线的光学检测旨在发现晶圆上可能"可见"的物理缺陷。为监测金属化制程中的电连接故障，专门设计了电子束检测方法。本研究运用计算机辅助设计版图分析来指导光学与电子束晶圆检测的缺陷检查，旨在提高发现关键缺陷的概率并缩短检测与缺陷表征的周期时间。该方案已与同批次晶圆的现有基准检测结果进行对比验证。