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采用感应耦合等离子体(ICP)优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面刻蚀工艺及器件特性
摘要: 本研究全面探究了采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对准垂直氮化镓(GaN)肖特基势垒二极管(SBD)台面刻蚀的优化方案,包括刻蚀掩模选择、ICP功率、射频(RF)功率、混合气体比例、流量及腔室压力等参数。特别地,通过结合ICP干法刻蚀与四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法处理,消除了台面侧壁底部拐角处的微沟槽。最终利用优化后的刻蚀工艺实现了高各向异性的台面侧壁形貌,并制备出准垂直GaN SBD,在-10V反向偏压下获得10?? A/cm2的低反向电流密度。
关键词: 准垂直、电感耦合等离子体(ICP)、氮化镓(GaN)、干法刻蚀、侧壁轮廓、台面结构、肖特基势垒二极管(SBD)
更新于2025-09-19 17:13:59
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多结太阳能电池制备过程中分离台面结构的湿法化学蚀刻方法开发
摘要: 已研究了基于GaInP/GaInAs/Ge异质结构的多结太阳能电池台面结构的生长后处理工艺。探讨了湿法化学蚀刻和电化学蚀刻方法,并提出了一种形成分离台面结构的技术,该技术能改善不同层组分配比的异质结构台面侧壁表面质量和形貌。
关键词: 多结太阳能电池、蚀刻、台面结构、异质结构
更新于2025-09-16 10:30:52