通过同质双层PVDF-TrFE降低聚合物绝缘体表面粗糙度以提升有机铁电存储晶体管的电学性能

摘要： 我们提出一种通过降低铁电聚合物绝缘体表面粗糙度来提升有机非易失性存储晶体管电学性能的可行方法。采用聚偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物[P(VDF-TrFE)]同质双层结构来控制传统单层[P(VDF-TrFE)]聚合物绝缘体的高表面粗糙度。与原始单层P(VDF-TrFE)薄膜的18.8纳米相比，聚合物绝缘体的均方根粗糙度降至11.9纳米，实现了表面平滑化。该同质双层P(VDF-TrFE)薄膜晶体管展现出更高的存储开关比（约100）和迁移率（2.9×10?2 cm2V?1s?1），显著优于原始P(VDF-TrFE)的开关比16和迁移率2.1×10?2 cm2V?1s?1。导致高开关比的迁移率增强机制主要归因于铁电聚合物绝缘体表面粗糙度的降低。