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通过室温反向金属辅助化学蚀刻制备的纳米级沟槽纹理β-Ga?O?及具有增强响应度的光电二极管
摘要： β-Ga2O3是一种新兴的宽禁带半导体，在下一代功率电子和光电子领域极具应用前景。过去几年中，基于β-Ga2O3的紫外光电探测器一直是研究热点。然而目前尚未有研究展示过通过微纳结构表面织构实现β-Ga2O3光电器件高效光管理的方法。我们首次报道了采用独特室温液相金属辅助化学刻蚀(MacEtch)技术制备的纳米沟槽织构化β-Ga2O3金属-半导体-金属光电二极管。虽然织构表面化学计量比显示约10%的氧缺位导致肖特基势垒高度降低和暗电流增大，但与未处理的平面表面相比，其响应度显著提升。MacEtch技术对β-Ga2O3适用性的实现，为该材料制备更精密的器件结构开辟了道路，且无需采用传统干法刻蚀可能造成的损伤。
关键词： 响应度、β-氧化镓、纳米级沟槽纹理、光电二极管、金属辅助化学蚀刻
更新于2025-09-10 09:29:36
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气-液-固法合成的硫化锌纳米线的光电及光催化性能
摘要： 硫化锌（ZnS）是一种具有优异光电特性的宽禁带半导体，适用于光传感器件和光催化剂。本文采用基于气-液-固（VLS）法的热蒸发技术成功合成了ZnS纳米线（ZnS NWs）。在紫外B（UVB）辐照下的光电器件测试中，其光电流增益（Pg）、响应度（Rλ）、响应时间和恢复时间分别为0.572、2.761 mW/cm2、3.2秒和3.6秒。对于亚甲基蓝（MB）的光催化活性，ZnS NWs的表观速率常数（K）为9.78×10?3（min?1）。虽然基于ZnS NWs的光电探测器在紫外A（UVA）辐照下无法工作，但根据最新医学文献，UVB辐射是导致人类皮肤癌（全球最常见的癌症）的主要环境风险因素。因此，本研究最重要的贡献是通过简单工艺成功制备了面向UVB辐射的ZnS NWs基光电探测器。
关键词： 光电探测器，硫化锌纳米线（ZnS NWs），光电流增益（Pg），光电子学，气液固（VLS）生长法，表观速率系数（K），响应度（Rλ），中波紫外线（UVB）辐照
更新于2025-09-04 15:30:14