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oe1(光电查) - 科学论文

28 条数据
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  • [智能系统与计算进展] 安全高级计算与系统 第883卷（第八卷）|| 用于评估地表温度变化的遥感技术及尼日利亚西南部案例研究分析

    摘要： 近期研究表明，对某一地区地表温度（LST）变化的评估可反映城市化趋势、工业活动、人口变动及自然因素的变化。随着遥感技术、数字图像处理和地理信息系统的发展，相关研究不断深入。本章旨在阐述遥感作为地理空间技术的适用性及其在不同空间和时间尺度监测LST的挑战。案例分析表明，遥感影像处理结果显著受到所选影像空间分辨率的影响。海量影像数据缺失、云层覆盖、时空分辨率粗糙、夜间城市热岛效应评估中夜间数据有限（出于技术和安全原因）等问题影响了研究结果的可靠性?；谄溆攀?，本研究为包括尼日利亚在内的许多发展中国家改进地理空间技术的应用与利用提出了政策建议。

    关键词： 尼日利亚，图像传感器，地表温度，图像分析

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 基于局部熵和中值绝对偏差的图像传感器噪声估计

    摘要： 图像传感器的噪声估计是盲去噪等众多图像预处理应用中的关键技术。现有针对加性高斯白噪声（AWGN）和泊松-高斯混合噪声（PGN）的估计方法在处理纹理丰富的场景图像时，可能出现噪声水平低估或高估的情况。为解决该问题，本文提出一种基于均匀块的新型噪声估计方法来计算这些噪声。首先将含噪图像转换为局部灰度统计熵（LGSE）图谱，通过降序选取若干最大LGSE值来筛选弱纹理图像块；随后提出基于Haar小波的局部中值绝对偏差（HLMAD）算法，计算这些选定均匀块的局部方差；最后运用最大似然估计（MLE）分析所选块的区域均值与方差，从而精确估计噪声参数。通过对合成噪声图像的大量实验表明，相比现有先进方法，本方法不仅能更准确地估计不同噪声水平下各类场景图像的噪声，还能提升盲去噪算法的性能。

    关键词： 加性高斯白噪声、局部灰度统计熵、图像传感器、泊松-高斯噪声、噪声估计、局部中值绝对偏差

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [2018年IEEE亚洲固态电路会议(A-SSCC) - 中国台湾台南 (2018.11.5-2018.11.7)] 2018年IEEE亚洲固态电路会议(A-SSCC) - 一款面向智能可穿戴设备的137微瓦面积高效实时手势识别系统

    摘要： 手势识别已成为智能设备中最受欢迎的人机交互技术之一。现有手势识别系统要么功耗过高，要么体积过大，限制了其在超低功耗物联网和可穿戴设备中的应用。本文提出了一种适用于智能可穿戴设备的精准、面积高效且超低功耗的实时手势识别系统。该方案采用基于峰值的手势分类引擎，配合低内存需求、低分辨率及低功耗的片上图像传感器，实现了高面积效率和低功耗特性。特征提取架构能消除低功耗片上图像传感器的固定模式噪声以提高精度，并通过并行处理提升识别速度。该系统仅需3.2KB片上内存即可处理32×32像素数据。采用65nm CMOS工艺制造的测试芯片测量结果表明：在0.8V电压下以30帧/秒运行时系统功耗仅137.0皮瓦，芯片面积仅1.78平方毫米，是目前所有手势识别系统中功耗最低且面积最小的方案。

    关键词： 片上系统、低功耗处理器、图像传感器、可穿戴设备、手势识别、特征提取

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [2018年IEEE国际成像系统与技术会议（IST）- 波兰克拉科夫（2018.10.16-2018.10.18）] 2018年IEEE国际成像系统与技术会议（IST）- 利用集成孔径像素提取视差信息

    摘要： 本文提出了一种利用集成孔径像素提取视差信息的方法。传统相机的光圈通常位于镜头上方，而我们则建议将光圈集成在CMOS图像传感器的像素上。这些集成孔径采用CMOS图像传感器工艺的金属层进行设计与制造，并通过光学模拟优化了包括孔径宽度和偏移量在内的参数。其中，集成孔径的偏移量定义为单位像素中像素中心与集成孔径中心之间的距离。光学模拟基于时域有限差分法?；诟霉庋Ｄ饨峁?，我们采用CMOS图像传感器工艺制造了具有集成孔径的图像传感器。通过该传感器提取图像的视差信息，并通过实验评估其性能。

    关键词： CMOS、图像传感器、集成光圈、视差信息

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 4300万和5000万像素高性能行间转移CCD图像传感器

    摘要： 本文描述了两款新型高分辨率行间转移电荷耦合器件图像传感器的设计与性能，适用于工业、机器视觉及航空摄影领域。这两款传感器具有4.5微米像素、4路输出、快速倾倒门、水平侧向溢出漏极和垂直电子快门等特性。其中4300万像素传感器采用35毫米光学格式，5000万像素传感器则采用匹配多数现代手机显示屏的2.175:1宽高比大尺寸格式。论文探讨了制造此类兼具优异图像质量（如均匀性、读出噪声、暗电流、拖影、转移门晕光、残像等指标）的大尺寸传感器所面临的挑战及解决方案。

    关键词： 暗电流、光刻拼接、行间转移（IT）、步进机、多输出、图像传感器、大幅面、电荷耦合器件（CCD）、拖影、晕光

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 具有场发射阵列的耐辐射图像传感器研发最新进展

    摘要： 采用碲化镉基光电二极管和火山结构场发射阵列开发了一种原型图像传感器。通过钴-60源进行伽马射线辐照测试了各组件的辐射耐受性。经确认，场发射阵列和光电二极管的伽马射线耐受性均高达1.2兆戈瑞。

    关键词： 抗辐射、图像传感器、碲化镉（CdTe）、场发射阵列（FEA）

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • [IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018.7.9-2018.7.13)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 高剂量率伽马射线辐照下场发射阵列的运行

    摘要： 场发射阵列（FEA）对高剂量率伽马射线辐照的稳健性得到验证。研究人员在专为辐照条件下原位测量设计的真空容器中，对该FEA的电流-电压特性进行了研究。尽管辐照过程中观察到栅极电流略有增加，但绝缘层仍保持电气绝缘性能。结果表明，在1.3千戈瑞/小时（kGy h-1）的伽马射线辐照下，FEA展现出几乎相同的电流-电压特性。

    关键词： 伽马射线、图像传感器、场发射阵列、辐射耐受性

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • [IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 用于抗辐射场效应阵列图像传感器的CdS/CdTe光电二极管γ射线辐照效应

    摘要： 为评估CdS/CdTe光电二极管在耐辐射场发射阵列（FEA）图像传感器中的应用潜力，研究了γ射线辐照对其的影响。发现该光电二极管对超过2 MGy的高剂量γ射线具有足够耐受性。此外还探究了γ射线辐照下CdS/CdTe光电二极管的I-V特性：当CdTe厚度为6.5微米时，电流密度变化率随反向偏压增大而升高；而2.2微米厚度情况下，电流密度变化率基本不受反向偏压影响。这些结果表明耗尽层宽度的增加会影响电流密度变化率。

    关键词： 图像传感器、碲化镉、场发射阵列、辐射耐受性

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 具有像素内相关双采样放大功能的原位存储拓扑结构CMOS超高速突发模式成像器分析与设计

    摘要： 本文提出了一种用于超高速突发模式成像仪的原位存储拓扑结构，在保持高帧深度的同时实现低噪声运行。所提出的像素架构包含一个4T钉扎光电二极管、一个相关双采样（CDS）放大级和一个原位存储库。聚焦于采样噪声，讨论了该像素架构的系统级权衡，展示了其在噪声、功耗和可扩展性方面的优势。通过与交流耦合CDS级集成，利用单个NMOS晶体管的强电容-电压关系实现放大。开发了全面的噪声模型以优化面积与噪声之间的权衡。作为概念验证，采用130 nm CMOS工艺制造了像素间距为30 μm的原型成像仪。实现了108单元存储库，支持密集布局和并行读出。研究了两种类型的CDS放大级。尽管每个单元的存储电容有限（10 fF/单元），但两种像素类型的光子转移曲线在不同工作速度下（最高达20 Mfps）均被测量，显示出8.4 e?的噪声性能。

    关键词： 突发模式，百万帧每秒，超高速成像，像素内放大，原位存储，图像传感器

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 巴西热带、亚热带及半干旱气候区光伏组件与系统积尘效应的对比研究

    摘要： 一款4700万像素（47Mp）的行间转移电荷耦合器件（CCD）图像传感器——全球最高分辨率的行间转移CCD，已为工业、机器视觉及航空摄影应用领域研发成功。该传感器采用5.5微米像素、16路输出低噪声放大器，配备低拖影快速倾倒门、水平侧向溢出漏极以及片上温度传感器。制造这款大尺寸传感器的主要挑战在于：需使用不同光刻工具进行拼接，同时确保其成像性能不低于前代产品。

    关键词： 图像传感器、多输出、行间转移（IT）、光刻拼接、电荷耦合器件（CCD）

    更新于2025-09-23 15:19:57