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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 通过使用最佳尺寸分布的SiC纳米填料聚集体实现高性能碳纳米管浆料发射器
摘要： 我们通过一种新型研磨工艺优化碳化硅（SiC）团聚体作为无机填料的粒径分布，从而改进了碳纳米管（CNT）浆料场发射体。经处理后，SiC团聚体的平均粒径减小至亚微米级，且分布相对较窄。采用该研磨工艺、D50为1微米的优化小尺寸SiC填料制成的CNT浆料发射体，比使用市售大尺寸SiC填料的发射体具有更优的附着性能和更均匀的表面形貌。此外，即使在较高电流密度下，优化后的小尺寸填料仍展现出卓越的场发射性能，这使得CNT浆料技术可广泛应用于各类场发射器件。
关键词： 铣削工艺、场发射、碳纳米管（CNT）、浆料配方、碳化硅
更新于2025-09-23 15:21:21
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 一种由碳纳米管墨水制成的稳定且长寿命的平面场发射阴极
摘要： 我们展示了一种专用于微型化透射电子显微镜的平面阴极，其所有组件均基于MEMS硅玻璃工艺制造。该阴极采用商用碳纳米管墨水制成，未添加任何填料，实现了稳定且长寿命的电子场发射。
关键词： 平面阴极、微机电系统（MEMS）、场发射、碳纳米管墨水、透射电子显微镜（TEM）
更新于2025-09-23 15:21:21
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 基于仿真的随机分布场发射体发射密度优化
摘要： 为避免未来对大面积场发射体（LAFE）进行耗时的模拟，本研究采用半解析模型探究了随机分布发射体场发射的最优发射体密度。通过考虑场发射与最近邻发射体的关系，并运用泊松点过程理论推导出最近邻发射体的分布，最终获得了随发射体密度变化的电流密度分布，并计算出预测的最优值。
关键词： 场发射、纳米锥、离子径迹模板
更新于2025-09-23 15:21:21
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 平面集成石墨烯的场发射能量分布
摘要： 我们报道了平面石墨烯边缘的场发射能量分布。采用两种石墨烯制备的发射源，制造出集成栅极和漏极电极、且真空输运方向平行于衬底表面的场效应晶体管。氧化石墨烯还原产物产生的发射分布大致对称，常呈现多峰特征并随时间偏移，这些特性表明发射源自局域边缘态。而铜箔上生长的优质石墨烯所产生的发射更接近线性态密度发射，暗示发射既起始于离域能带也起始于分立态。
关键词： 能量分布、石墨烯边缘、真空晶体管、场发射
更新于2025-09-23 15:21:21
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018.7.9-2018.7.13)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 线性场发射器(LAFE)中指前电压因子k次幂的实验定义
摘要： 在这项工作中，我们利用了LAFE综合研究方法的可能性。为了确定前指数因子中电压的程度，我们采用了IVC微分法和通过变化Fowler-Nordheim坐标的最小化趋势残差法。该方法对IVC弯曲非常敏感，可作为LAFE阵列均匀性的特征指标。
关键词： K-幂、纳米复合材料、场发射、碳纳米管、电流-电压特性的分化
更新于2025-09-23 15:21:21
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都(2018年7月9日至13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 生长在W{113}表面上的Cr薄膜的旋极化电子场发射
摘要： 在1000K退火后，对W{113}晶面上生长的Cr薄膜在室温下测量了场发射电子的自旋极化率。测得30%的自旋极化强度是Cr(001)表面的三分之二，这对应于Cr(001)层中多数自旋原子所占的比例。另一方面，Cr/W{113}的发射电流与传统场发射器相当，因此其作为自旋极化电子源的品质因数比先前研究中Cr/W(001)发射器高出两个数量级。
关键词： 铬，自旋极化场发射体，场发射
更新于2025-09-23 15:21:21
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 长寿命冷阴极电子束用高导电碳纳米管发射器的制备
摘要： 我们开发了用于真空纳米电子器件的高性能碳纳米管冷阴极电子源，其采用钼层结构。通过直流等离子体增强化学气相沉积（DC-PECVD）系统生长碳纳米管时，等离子体中的高能离子基团可蚀刻钼层，随后蚀刻产生的蒸汽会包覆在碳纳米管发射极表面。利用图案化钼层后，碳纳米管发射极的发射电流和导电性等性能得到提升。
关键词： 碳纳米管、样式、场发射、造型
更新于2025-09-23 15:21:21
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018.7.9-2018.7.13)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 多孔海绵状石墨烯的场发射
摘要： 本文提出了一种独特的多孔海绵状结构石墨烯作为场发射发射体。文中描述了该多孔海绵状石墨烯的合成过程、后处理及表征方法，并研究了其场发射性能。与其他已报道的石墨烯结构相比，由于其宽阔的分离表面形貌和垂直排列的石墨烯片场发射体，可实现相对较低的开启电场。
关键词： 海绵状、多孔、场发射、石墨烯
更新于2025-09-23 15:21:21
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都(2018年7月9日至13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 考虑场发射体小簇时顶点场增强因子分数化减小的差异性与普适性
摘要： 数值模拟在评估场发射相关现象的诸多特性时具有重要意义。本研究分析了单发射极（顶端场增强因子γ?）与双发射极对（顶端场增强因子γ?）的顶端场增强因子分数变化量δ?；谟邢拊际酰颐侵っ鞯狈⑸浼嵯呒渚郼足够大且域尺寸趋于无限时，函数关系δ(c)遵循近期提出的幂律衰减规律[1]——该现象未被长期沿用的指数衰减模型[2]或Harris等人新近提出的复杂拟合公式[3]所观测到。这种反三次幂律函数关系适用于不同形状发射极构成的无限阵列及小型团簇等多种体系。因此建议：当任意形状发射极间距足够大时，?δ～c??（m=3）可作为小型团簇或阵列中电荷钝化(CB)效应的普适特征标志。这些成果深化了对场致电子发射理论的物理认知，有助于精准表征小型团簇或阵列中的发射极特性。
关键词： 电荷钝化效应、幂律衰减、顶点场增强因子、场发射、数值模拟
更新于2025-09-23 15:21:21
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都(2018年7月9日至13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 不同掺杂水平单硅高纵横比尖端的感光性
摘要： 在超高真空环境中研究了单根轻掺杂、重掺杂、集成p/n结以及本征高深宽比（HAR）硅尖端的光敏性。轻掺杂p型HAR尖端的电流-电压特性（I-V）显示出约10-12纳安的典型电流饱和现象，而带有p/n结的HAR硅尖端也表现出类似的饱和现象，但起始电流值小得多，约为20-30皮安。在卤素灯照射下的光开关效应使两种结构的饱和电流至少提高了2-4倍，并显示出光照功率与场发射电流之间的线性关系。对于重掺杂HAR尖端，光电流开关效应（即电流饱和）在相当低的电流水平1-2皮安时就被观察到。本征HAR硅尖端显示出相对不稳定的场发射行为，且未发现明确的光敏性证据。
关键词： 光敏性，硅p/n结，p型硅，场发射
更新于2025-09-23 15:21:21