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oe1(光电查) - 科学论文

4 条数据
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  • [IEEE 2019年第八届国际第四组光子学会议(GFP) - 新加坡，新加坡（2019.8.28-2019.8.30）] 2019年IEEE第十六届国际第四组光子学会议(GFP) - 理解中红外波段锗硅波导损耗的侧壁依赖性

    摘要： 本文提出了一种基于场效应晶体管（FET）的功率检测器经验模型。该电学模型由基于漏极电流泰勒级数展开的沃尔泰拉分析及线性嵌入小信号电路构成，其参数完全从S参数和IV曲线中提取得出。最终推导出以FET本征电容和寄生电阻为变量的噪声等效功率（NEP）频率依赖性闭式表达式。对于沟道尺寸各异且工作频率达67GHz的共面接触石墨烯FET，该模型与实测NEP数据高度吻合。研究还从理论与实验两方面探讨了栅极长度对响应度和NEP的影响。

    关键词： 场效应晶体管（FETs）、沃尔泰拉、太赫兹探测器、微波探测器、石墨烯、功率探测器、解析模型

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC） - 美国伊利诺伊州芝加哥（2019.6.16-2019.6.21）] 2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC） - 溶液法制备超薄SnO?钝化吸收层/缓冲层异质结及晶界以实现高效铜锌锡硫硒（CZTS）太阳能电池

    摘要： 基于磷化铟的高电子迁移率晶体管（InP-HEMTs）和石墨烯沟道场效应晶体管（G-FETs）被实验性地研究作为未来宽带光通信和无线通信系统的光子频率转换器。通过利用InP-HEMTs和G-FETs的光电特性和三端功能，实现了120 GHz无线通信频段的单芯片光子双混频操作。将112.5 GHz载波上的10 Gbit/s级数据信号与87.5 GHz本振信号混频至25 GHz中频带，其中本振信号由光注入光电混频拍频信号同步自生成。结果表明，G-FET的本征沟道能够实现优于具有同等器件特征尺寸的InP-HEMT的速度性能。通过降低G-FET的外在寄生电阻并实现高效的光吸收结构，可能实现具有足够高转换增益的毫米波和亚太赫兹光子频率转换，以满足实际应用需求。

    关键词： 毫米波光子学、无线接入网络、石墨烯、场效应晶体管（FETs）、高电子迁移率晶体管（HEMTs）、磷化铟（InP）、毫米波通信、频率转换

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC） - 美国伊利诺伊州芝加哥（2019.6.16-2019.6.21）] 2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC） - 宽禁带碲锌矿基太阳能电池用于半透明光伏应用的数值建模与实验实现

    摘要： 基于磷化铟的高电子迁移率晶体管（InP-HEMTs）和石墨烯沟道场效应晶体管（G-FETs）被实验性地研究作为未来宽带光通信和无线通信系统的光子频率转换器。利用InP-HEMTs和G-FETs的光电特性和三端功能，在120 GHz无线通信频段实现了单芯片光子双混频操作。将112.5 GHz载波上的10 Gbit/s级数据信号与87.5 GHz本振信号下变频至25 GHz中频带，该本振信号由光注入光电混合拍频同时自生成。结果表明，G-FET的本征沟道能够实现优于具有同等器件特征尺寸的InP-HEMT的速度性能。降低G-FET的外在寄生电阻并实现高效的光吸收结构，可能使毫米波和亚太赫兹光子频率转换在实际应用中达到足够高的转换增益。

    关键词： 毫米波光子学、无线接入网络、石墨烯、场效应晶体管（FETs）、高电子迁移率晶体管（HEMTs）、磷化铟（InP）、毫米波通信、频率转换

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC） - 德国慕尼黑（2019年6月23日至27日）] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC） - 芯片上压缩态的即插即用生成与操控

    摘要： 我们提出一种新颖的图形化方法，用于分析渗流通道中随机电报信号导致的场效应晶体管（FET）阈值电压变化(ΔVth)。首先通过无渗流技术计算机辅助设计模拟，在mloc?σloc图中生成最小ΔVth值和临界曲线。前者构成远离传统对数正态分布的统计分布，后者中mloc和σloc分别是Mueller-Schulz渗流理论中著名正态变量的均值与标准差。该临界mloc?σloc曲线将图表划分为允许区和禁戒区，且随栅极尺寸增大而下移。随后在允许区内图形化绘制ΔVth等高线。应用于现有SiON和高k金属栅极（HKMG）缩放FET的实验性ΔVth统计分布时，高ΔVth对应的成对mloc与σloc值保持稳定，与栅极尺寸或栅极堆叠类型无关——这表明由于采用相同制造工艺，其底层渗流模式具有相似性。但若这些成对参数落入禁戒区，则由临界mloc?σloc曲线主导。该方法可直接良好地应用于文献中的偏压与温度不稳定性统计数据。

    关键词： 渗透、技术计算机辅助设计（TCAD）、偏压与温度不稳定性（BTI）、陷阱、随机电报信号（RTSs）、场效应晶体管（FETs）

    更新于2025-09-16 10:30:52