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oe1(光电查) - 科学论文

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  • [IEEE 2018年第五代移动通信世界论坛(5GWF) - 美国加利福尼亚州硅谷 (2018.7.9-2018.7.11)] 2018 IEEE 5G世界论坛(5GWF) - 面向24GHz与28GHz宽带5G解决方案的封装高功率前端模块

    摘要： 本文介绍了工作在24-31GHz频段的宽带塑料低成本封装5G高功率前端（HPFE）的实现方案与特性。该演示样机包含采用混合工艺技术实现的发射与接收通路：碳化硅基150纳米氮化镓（AlGaN/GaN on SiC）与150纳米砷化镓（GaAs）。发射通路（Tx）的连续波（CW）实测功率结果显示，在24-31GHz频段内最大输出功率（POUT,Tx）超过2瓦（33.5dBm），漏极效率（DE）达25%，功率附加效率（PAE）为24%，插入增益（GI,Tx）为36dB。接收通路（Rx）在同一频段内呈现30毫瓦（15.5dBm）的最大输出功率（POUT,Rx），平均噪声系数（NF）为3.6dB，对应插入增益（GI,Rx）为20dB。通过采用数字预失真（DPD）技术测试多种25/50及100MHz信道间隔的M-QAM调制信号，HPFE/Tx通路在线性输出功率17dBm至25dBm范围内实现了48dBc的邻道泄漏比（ACLR）和40dB的均方误差（MSE）。与另外两款用于电信应用的线性砷化镓放大器相比，该HPFE在保持更高效率的同时展现出相当的线性性能。得益于混合工艺方案，该设计在集成度、电性能与成本之间实现了优化平衡。

    关键词： 单片微波集成电路（MMIC）、赝调制高电子迁移率晶体管（PHEMT）、砷化镓、塑料封装、收发通道、低噪声放大器、氮化镓、功率放大器、开关

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [IEEE 2018年第二届国际电介质会议(ICD) - 布达佩斯(2018.7.1-2018.7.5)] 2018年IEEE第二届国际电介质会议(ICD) - 脉冲陡度和温度变化下重复冲击应力中半导体传感器封装局部放电起始电压的研究

    摘要： 本文描述了一种用于冲击应力下局部放电的测试与测量系统。为此设计了一个频率和脉冲陡度可调的低噪声冲击源，其基础为推挽式开关。测量依据标准IEC 61934执行。本研究采用高频电流互感器(HFCT)进行局部放电信号测量。整个测试装置经过多步优化。研究对象是采用特定半导体塑料封装的磁场传感器。低压侧的应用集成电路(ASIC)与连接高压应用电路的铜引线框架部分实现电隔离，因此需要封装固有的固态绝缘系统在整个寿命周期内可靠工作。研究了传感器集成电路的局部放电起始电压随温度和脉冲陡度的变化关系，结果表明这两个参数对其具有显著影响。

    关键词： 陡峭脉冲、高频电流互感器、塑料封装、局部放电、半导体

    更新于2025-09-04 15:30:14