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oe1(光电查) - 科学论文

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  • AlGaInP/InGaAs增强/耗尽型共集成掺杂沟道场效应晶体管的氢传感特性

    摘要： 本文展示了通过湿法选择性刻蚀工艺制备的Al0.25Ga0.25In0.5P/In0.1Ga0.9As增强/耗尽模式共集成赝形掺杂沟道场效应晶体管的氢气传感特性。在漏极电流为0.1 mA/mm时，耗尽（增强）模式器件在空气和9800 ppm氢气浓度环境中的阈值电压分别为(约)0.97 (±0.6) V和(约)1.22 (±0.31) V。此外，采用共集成FET器件时，直接耦合FET逻辑电路（DCFL）的传输特性在氢气环境中会发生显著变化。随着氢气检测的进行，DCFL电路中的VOH值降低而VOL值升高。

    关键词： 阈值电压，氢气传感，掺杂沟道场效应晶体管，增强/耗尽模式，AlGaInP/InGaAs，直接耦合FET逻辑

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 硅基超薄势垒AlGaN/GaN异质结构上E/D模式GaN MIS-HEMTs的单片集成

    摘要： 在硅衬底上生长的超薄势垒（UTB）AlGaN/GaN异质结构上，制备了单片集成的增强/耗尽模式（E/D模式）氮化镓基金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMTs）及其反相器。通过在UTB-AlGaN/GaN异质结构中采用渐变AlGaN背势垒，实现了E模式MIS-HEMTs高达+3.3 V的阈值电压（VTH）。所制备的MIS-HEMT反相器在8 V供电电压下具有7.76 V的高逻辑摆幅电压，且阈值电压迟滞及偏差小于0.2 V。UTB AlGaN/GaN-on-Si技术为基于MIS栅极的驱动器和功率晶体管的集成提供了良好平台。

    关键词： 单片集成、超薄势垒、氮化镓、增强/耗尽模式、金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管、反相器、氮化铝镓/氮化镓异质结构、硅衬底

    更新于2025-09-23 15:22:29