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990纳米高功率高光束质量增益耦合效应控制窄线宽DFB激光器
摘要: 基于脊形波导周期性电流注入的无再生长增益耦合分布反馈激光二极管,在990 nm波长实现了高功率单纵模输出。该器件仅采用标准i线光刻工艺(微米级精度)制备,在高注入电流下获得优异性能:3 A电流时连续波功率超过0.681 W;1.4 A电流下单纵模工作最大连续波功率达0.303 W。实现窄线宽发射(3 dB光谱宽度小于1.41 pm),高边模抑制比超过35 dB。横向远场发散角仅15.05°,光束质量因子M2为1.245,达到近衍射极限的横向发射特性。该器件更适用于作为泵浦源的单模光纤耦合及其他需要高功率下保持高光束质量的场合,且制备工艺简便。
关键词: 窄线宽、单纵模、增益耦合分布反馈半导体激光器
更新于2025-11-28 14:24:03