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界面应变与壳层厚度对核/壳量子点中核挤压/拉伸的影响
摘要： 零维核壳量子点的高比表面积使得晶格失配引发的界面应变对纳米结构的结构与光学特性至关重要。本研究评估了不同厚度（薄/厚）压缩壳层（CdS-ZnS）导致的晶格失配应变变化，并理论计算其对包覆核直径的影响。通过透射电镜获得的初始（裸露）核直径，对比了包覆核的挤压量。首先采用有效质量近似法理论计算包覆核直径，随后通过考虑界面应变量修正的有效质量近似法获得相同直径值。将结果与透射电镜测得的裸核尺寸对比，揭示了壳层厚度对包覆核直径的影响机制：核心与壳层间更大的晶格失配会引发更高核心应变，从而导致更显著的核挤压；同时，较厚的压缩壳层因晶格弛豫增大了与核心的距离，从而对核心施加更低应力，因此厚壳层下的核心挤压程度更小。
关键词： 封顶核尺寸、壳层厚度、界面应变
更新于2025-09-23 15:21:01
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通过阻抗谱研究合金核壳量子点发光二极管中壳层厚度依赖性
摘要： 胶体量子点（QDs）因其尺寸依赖的光学特性而成为极具潜力的材料，在光子学和光电子学领域得到了广泛研究。采用宽带隙壳层的核/壳结构量子点可实现稳定发光和高荧光量子效率。然而在发光二极管（LEDs）等有源器件中，量子点的厚壳结构可能阻碍载流子传输从而降低器件性能。本研究通过构建电子型对称器件架构，利用阻抗谱技术系统研究了CdSe/ZnS量子点壳层厚度对器件性能的影响。研究发现对称器件在施加电压下的电容变化反映了器件内部电荷积累情况，并可预测LED性能。当量子点壳层厚度为2.1 nm（中等尺寸）时，对称器件呈现最低电容值，对应LED器件展现出最优性能——最高亮度达26370 cd/m2，电流效率（CE）达8.3 cd/A。
关键词： 阻抗谱、发光二极管、电荷积累、壳层厚度、胶体量子点
更新于2025-09-16 10:30:52
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核壳纳米晶单层中的共振等离子体增强上转换：壳层厚度的作用
摘要： 胶体稀土掺杂上转换纳米晶（UCNCs）的上转换发光（UCL）性能可通过以下方式提升：在核壳结构中采用光学惰性壳层对表面进行精确包覆、通过金属纳米颗粒改变邻近环境，或两者结合使用。鉴于其在晶体硅光伏领域的潜在重要性，本研究针对二维排列的UCNCs同时考察了这两种效应。利用1500 nm波长的激发光，我们研究了胶体溶液及旋涂辅助自组装单层膜中，Er3?掺杂NaYF?核随NaLuF?壳层厚度变化的上转换发光行为。两种体系中均观察到：随着壳层增厚，UCNCs中Er3?离子的上转换发光强度和衰减时间均持续增强，且从溶液态转变为薄膜态时衰减时间几乎无变化。通过电子束光刻设计的金纳米盘（沉积于单层膜表面或嵌入其中）可进一步提升UCNC单层膜的发光效率。研究发现，纳米晶壳层的增效作用优于金纳米盘。
关键词： 壳层厚度、核壳纳米晶体、单分子层、上转换、等离子体增强
更新于2025-09-04 15:30:14