[IEEE 2019欧洲激光与光电子学会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 德国慕尼黑（2019年6月23日-2019年6月27日）] 2019年欧洲激光与光电子学会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 光纤激光驱动的50毫瓦平均功率气体等离子体太赫兹产生技术

摘要： 首次评估了具有IGZO电荷存储层的非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜晶体管非易失性存储器件在多级单元存储应用中的性能。原始器件定义为初始状态（OS），经正栅极电压脉冲（如12V持续10ms）可切换至编程状态（PS），经负栅极电压脉冲（如-15V持续10ms）可切换至擦除状态（ES）。写入机制归因于正栅极偏压下电子从沟道向电荷存储层的福勒-诺德海姆隧穿效应，以及负栅极偏压下的反向隧穿效应。该器件展现出优异的电学可编程与擦除特性：经历100次编程/擦除循环后，OS与PS间仍保持2.4V存储窗口，OS与ES间亦维持2.66V存储窗口；在10^5秒保持时间内，相对于OS的存储窗口分别为PS的1.91V和ES的1.30V。