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oe1(光电查) - 科学论文

3 条数据
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  • 硅光子学中的热丝化学气相沉积：一个新兴的工业应用机遇

    摘要： 本工作在低于350°C温度下通过热丝化学气相沉积（HWCVD）制备的氮化硅（SiN）层上，制造并表征了多种硅光子器件，包括直波导、多模干涉器件和马赫-曾德尔干涉仪。这些氮化硅层的氢浓度为13.1%，低于相同沉积温度下等离子体增强化学气相沉积的氢浓度。实测采用HWCVD制备的直氮化硅波导在1550nm和1310nm波长处的最低光学传播损耗分别为6.1dB/cm和5.7dB/cm。我们证实HWCVD制备的氮化硅是硅光子器件制造的有效材料。

    关键词： 多模干涉仪、硅光子波导、硅光子学、热丝化学气相沉积、氮化硅、马赫-曾德尔干涉仪

    更新于2025-11-21 11:20:42

  • 基于4×4 MMI耦合器、具有深脊波导的60纳米超宽带高共模抑制比InP 90°光学混频器

    摘要： 本工作设计并制备了一种基于深脊波导4×4多模干涉耦合器的InP光学90°混合器。系统介绍了该90°混合器的工作原理，采用三维光束传播法（3-D BPM）优化其结构参数。所设计的紧凑型结构展现出低附加损耗（<-0.15 dB）、高共模抑制比（>40 dB）和低相对相位偏差（<±2.5°）的特性。该混合器采用沉积在InP衬底上的三明治结构制造，实测结果显示：在1520-1580 nm波长范围内共模抑制比大于20 dB；在1545-1560 nm范围内相位偏差小于±5°，整个C波段内小于±7°。该光学90°混合器非常适合实现相干接收机的小型化、高性能与宽带宽应用。

    关键词： 4×4 多模干涉仪，深脊波导，90°混合耦合器，高共模抑制比

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [IEEE 2018年亚洲通信与光子学会议(ACP) - 中国杭州 (2018.10.26-2018.10.29)] 2018年亚洲通信与光子学会议(ACP) - 基于混合等离子体波导的紧凑型2×2和4×4通用干涉多模干涉仪

    摘要： 我们基于混合等离子体波导提出了用于90°混频器的2×2和4×4通用多模干涉器。2×2/4×4多模干涉器长度分别为4.57微米/17.5微米，两者相位误差均低于0.7°，传输不平衡度低于0.6分贝。

    关键词： 多模干涉仪、集成光学器件、90°混合器、表面等离子体

    更新于2025-09-16 10:30:52