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oe1(光电查) - 科学论文

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  • [IEEE 2018英国剑桥UKSim-AMSS第20届计算机建模与仿真国际会议（2018.3.27-2018.3.29）] 2018年UKSim-AMSS第20届计算机建模与仿真国际会议（UKSim）——多量子阱结构模拟器

    摘要： 基于单电子有效质量薛定谔方程，开发了一款用于建模和设计多量子阱结构的模拟器，适用于量子阱红外探测器与量子级联激光器等器件。该模拟器采用盒积分有限差分法和传输矩阵法来求解结构中束缚态与散射态的能量。其图形用户界面支持用户便捷调节设计参数（包括有效质量、层厚度及层数）以及仿真参数，从而针对不同器件应用和功能需求优化结构。研究团队对三类结构进行了模拟验证：三耦合量子阱红外双色非对称量子阱结构、光电探测器结构以及量子级联激光器设计方案。结果表明，该模拟器的计算精度与更复杂的仿真方法相当。

    关键词： 有效质量近似、传输矩阵法、多量子阱结构、有限差分法

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 低正向电压InGaN基红光LED的演示

    摘要： 我们在此报道了基于(201)面β-Ga2O3衬底生长的InGaN基红光发光二极管(LED)。采用AlN/AlGaN应力补偿层和混合多量子阱结构来提升InGaN有源区的晶体质量。裸LED在20 mA电流下表现出665 nm的峰值波长、0.07 mW的光输出功率和0.19%的外量子效率。其正向电压为2.45 V(20 mA时)，对应的插墙效率为0.14%。根据电致发光的温度依赖性评估，该LED在100 mA电流下的特征温度为222 K。

    关键词： 氮化铟镓、β-氧化镓衬底、红色发光二极管、多量子阱结构、应变补偿层

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 具有改进型多量子阱结构的高效准二维钙钛矿发光二极管

    摘要： 具有多量子阱结构的准二维（quasi-2D）钙钛矿材料能增强激子结合能并实现可控的量子限域效应，是制备高效钙钛矿发光二极管（PeLEDs）的理想材料。然而这类材料中存在的多相混合会导致钙钛矿薄膜表面产生非辐射复合。本研究采用简便的溶液表面处理方法优化准二维钙钛矿发光层的多量子阱结构，有效降低了缺陷诱导的非辐射复合及电场诱导的激子解离对PeLEDs性能的影响。通过紫外吸收光谱和变温光致发光光谱测量验证了多量子阱结构的改善效果。经表面处理的准二维钙钛矿薄膜光致发光量子产率提升了约200%，同时电致发光器件实现了45.9 cd/A的电流效率。

    关键词： 电致发光、准二维钙钛矿发光二极管、表面处理、多量子阱结构、光致发光量子产率

    更新于2025-09-12 10:27:22