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oe1(光电查) - 科学论文

6 条数据
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  • [IEEE 2020国际计算、网络与通信会议(ICNC) - 美国夏威夷大岛(2020.2.17-2020.2.20)] 2020年国际计算、网络与通信会议(ICNC) - 多用户水下无线光通信系统性能研究

    摘要： 本文提出了一种用于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）?？橄冉铀俟β恃凡馐缘淖爸糜敕椒ā８貌馐阅茉诟咏导使た龅牡缙跫陆?，并实现对被测功率IGBT模块的在线损耗监测。通过简易控制方法即可模拟多种接近真实三相变流器应用的电气工况。此外，基于所提出的温度应力施加方案，可在短周期内施加不同幅值的温度波动，并灵活调整温度循环周期。得益于较短的温循周期，测试结果能在合理时间内获得。文中详细阐述了加速功率循环测试装置的配置及各类功能控制方法等装置细节，进而提出一种改进的原位结温估算方法（利用导通态集射极电压VCE_ON与负载电流）。为验证所提装置与方法的有效性，还展示了采用600V/30A塑封IGBT模块开展先进加速功率循环测试的流程与测试结果。最后对测试后的IGBT?？榻辛耸锢矸治?。

    关键词： 功率循环测试、失效物理、失效机理、寿命模型、绝缘栅双极型晶体管模块、可靠性

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [IEEE 2019年第20届固态传感器、执行器与微系统国际会议暨第33届欧洲传感器会议（TRANSDUCERS & EUROSENSORS XXXIII） - 德国柏林（2019年6月23日-2019年6月27日）] 2019年第20届固态传感器、执行器与微系统国际会议暨第33届欧洲传感器会议（TRANSDUCERS & EUROSENSORS XXXIII） - 利用等离子体光学激发实现生物分子在纳米间隙中的操控以实现高灵敏度生物传感

    摘要： 本文提出了一种用于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）?？榈南冉铀俟β恃凡馐宰爸眉胺椒?。该测试能在更接近实际工况的电气条件下进行，并实现对被测功率IGBT?？榈脑谙呃匣嗖狻Ｍü蛞卓刂品椒纯赡Ｄ舛嘀纸咏媸等啾淞髌饔τ玫牡缙た?。此外，基于所提出的温度应力施加方案，可在短周期内施加不同幅值温度变化并灵活调整温度循环周期。得益于短周期特性，测试结果能在合理时间内获得。文中详细阐述了加速功率循环测试装置的配置方案及各功能控制方法，进而提出一种改进的原位结温估算方法（利用导通态集射极电压VCE_ON与负载电流）。为验证所提装置与方法的有效性，还展示了采用600V/30A塑封IGBT?？槭凳┫冉铀俟β恃凡馐缘牧鞒碳敖峁?。最后对测试?？榻辛耸锢矸治?。

    关键词： 绝缘栅双极型晶体管?？?、失效物理、功率循环测试、寿命模型、失效机理、可靠性

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 硼掺杂金刚石涂层钛电极与铌电极的稳定性对比研究

    摘要： 掺硼金刚石（BDD）涂层电极的使用寿命与基体材料及BDD涂层的制备工艺密切相关。本文通过加速寿命试验对比研究了电弧等离子体化学气相沉积法制备的钛基（Ti/BDD）和铌基（Nb/BDD）BDD涂层电极的失效过程。结果表明：两类电极的主要失效机制均为BDD涂层剥离并伴随涂层腐蚀。两种基体上的BDD涂层剥离均存在孕育期，其中Ti/BDD电极的孕育期更短且涂层剥离速率显著高于Nb/BDD电极。通过比较金刚石涂层生长过程及两种基体上形成碳化物的腐蚀行为发现：钛基体上金刚石涂层更易产生类孔隙缺陷，且金刚石涂层下方形成的碳化物层在电解液中更易发生腐蚀。研究认为这两个因素共同导致Ti/BDD电极的使用寿命较Nb/BDD电极更短。

    关键词： BDD电极，加速寿命试验，碳化物层，失效机理

    更新于2025-09-22 16:24:51

  • 电动汽车多层纳米薄膜玻璃加速寿命测试方法的发展

    摘要： 随着电动汽车的普及，为保障冬季行车安全，研究人员正在开发具有加热功能的多层纳米薄膜玻璃。传统上，钨丝被用作电动汽车车窗的加热元件。但由于其可视性较低，银（Ag）颗粒多年来一直是研究热点。由于银具有较高的导热和导电性能，它已被汽车工业广泛用作加热器材料。然而，采用银颗粒的多层纳米薄膜玻璃目前仍处于研发阶段，尚未经过实际应用验证，可能引发产品召回和索赔风险。本研究将基于材料特性分析该多层纳米薄膜玻璃的潜在失效机理，并提出加速寿命测试方法以验证其15年的汽车应用耐久性。

    关键词： 电动汽车，多层纳米薄膜玻璃，加速寿命试验，挡风玻璃，失效机理

    更新于2025-09-23 20:34:58

  • [美国机械工程师学会（ASME）2018年电子与光子微系统封装与集成国际技术会议及展览 - 美国加利福尼亚州旧金山（2018年8月27日星期一）] 美国机械工程师学会（ASME）2018年电子与光子微系统封装与集成国际技术会议及展览 - TO-247封装碳化硅功率器件的失效机理评估

    摘要： 随着电力电子器件效率的重要性日益凸显，碳化硅（SiC）器件在电力电子应用中展现出多项优势，包括更高的效率、阻断电压能力以及高温运行特性。此外，由于开关损耗更低，SiC器件能够在更高频率下工作，从而降低系统重量和体积——这对车辆应用也至关重要。但目前封装SiC器件的可靠性尚未得到充分评估。先前研究表明，SiC与硅材料特性的差异可能对失效机制和可靠性产生重大影响。例如，SiC远高于硅的弹性模量可能在功率循环过程中增加邻近材料的应变。本研究通过功率循环测试，探究了封装硅基和碳化硅基功率器件的失效机制。测试中封装器件以4.5秒加热/20秒冷却的周期进行主动循环（温差ΔT=60-80K），并采用微焦点X射线与扫描声学显微镜（SAM）进行失效分析以确定主要失效机理。分析结果表明：所有碳化硅基器件的主导失效机制均为芯片处键合线脱开；硅基器件的具体失效机制仍需进一步分析。此外，碳化硅基器件比硅基器件更早失效，这可能是由碳化硅材料特性差异所致。

    关键词： 功率循环、碳化硅、电力电子、失效机理、可靠性

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • [2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 美国佐治亚州亚特兰大市(2018.10.31-2018.11.2)] 2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 1.2kV 4H-SiC MOSFET与JBSFET的新型短路失效机制

    摘要： 电力器件的短路（SC-SOA）能力对电力系统至关重要。本文对1.2kV碳化硅MOSFET和JBSFET进行特性分析，测试并研究了它们的短路安全工作区表现。研究发现，尽管集成了肖特基接触，但由于饱和漏极电流更低，JBSFET相比MOSFET具有更优的短路安全工作区。基于非等温TCAD数值模拟（辅以能量色散X射线光谱仪EDS分析的失效芯片SEM检测），本文提出了一种与顶部铝金属层熔化相关的新短路失效机制。

    关键词： JBSFET、鲁棒性、MOSFET、可靠性、碳化硅、4H-SiC、失效机理、短路、坚固性

    更新于2025-09-04 15:30:14