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oe1(光电查) - 科学论文

6 条数据
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  • 硒量子点中的光生载流子弛豫路径及其在紫外-可见光探测中的应用

    摘要： 链状材料因其独特的结构和优异的电光性能近期备受关注。然而，决定所制备器件电光性能的光生载流子动力学及传输路径却鲜有研究。本研究通过简便的液相剥离法制备了典型链状材料——硒量子点（Se QDs），并采用紫外-可见波段超快瞬态吸收光谱系统研究了其光生载流子动力学。首次检测到四种具有不同寿命的光生载流子衰减路径，从而阐明并重构了Se QDs的能量示意图。基于Se QDs的宽带光电响应和快速恢复特性，我们首次提出（据我们所知）一种光电化学型光电探测器，展现出卓越的光电探测性能?？悸堑狡淇尚械闹票阜椒扒逦墓馍亓髯勇肪?，该探测器优异的光电流密度与稳定性无疑证实了硒材料在先进光子器件中的广阔应用前景。

    关键词： 宽带光响应、光生载流子动力学、超快瞬态吸收光谱、硒量子点、光电化学光电探测器

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 还原氧化石墨烯/SnO?纳米阵列的透明肖特基结实现宽带光响应增强

    摘要： 通过一系列射频磁控溅射、水热和电化学沉积合成了rGO/SnO2纳米阵列（rGO/SnO2 NAs）肖特基结。这种独特的透明结展现出从紫外到可见光的宽带光电响应。如图所示，合适的rGO/SnO2 NAs显示出约60%的高透明度，并将光电转换效率比初始肖特基结提高了约100倍。最后，研究了该肖特基结的工作机制。

    关键词： 还原氧化石墨烯，宽带光响应，透明肖特基结，二氧化锡纳米阵列

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 具有直接带隙的少层GeSe场效应晶体管的快速宽带光电响应

    摘要： 通过机械剥离和后续激光减薄技术新近制备的少层至单层硒化锗（一种新型Ⅳ-Ⅵ族层状材料），因其优异的稳定性、天然p型半导体特性、复杂的能带结构及惰性表面性质，在超快宽带光电器件应用中展现出潜力。但目前这种高性能少层GeSe器件的大规模制备仍处于早期阶段。本研究制备了具有直接带隙的少层GeSe场效应晶体管（FETs），在室温下测量了具有肖特基接触特性的晶体管性能，测得场效应迁移率为4 cm2/Vs，并实现了空穴与电子双载流子调控的漏电流调制。通过表征光照波长、功率及频率相关的光电响应特性发现：该少层GeSe晶体管对可见光至1400 nm波段的光照均产生响应，其光电响应上升（下降）时间为13微秒（19微秒），展现出极宽波段与超快探测能力。这种双极型特性与光电响应特征表明，少层GeSe在制备高稳定性、超快宽带光电器件方面具有重要应用前景。

    关键词： 宽带光响应、光响应时间、双极型行为、场效应晶体管、直接带隙、少层GeSe

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 剥离的F<sub>16</sub>CuPc纳米片的电荷传输行为与超灵敏光响应性能

    摘要： 空气稳定的光敏性十六氟酞菁铜(F16CuPc)是有机电子学和光电子学领域极具前景的n型半导体材料。然而基于F16CuPc器件的性能受限于其薄膜较差的结晶性。本研究通过分析温度依赖的载流子迁移率和电导率，探究了从针状块体单晶机械剥离获得的F16CuPc纳米片的电荷传输与电接触行为——在不同温度区间和载流子浓度下，多重陷阱/释放机制与能带传输机制共同主导电荷输运过程。基于F16CuPc纳米片的场效应晶体管(FET)展现出高导通电流和开关比，较已报道的F16CuPc纳米线、薄膜及纳米带提升一个数量级。此外，即使在极低工作源漏电压(1V)下，基于该纳米片的光电晶体管在300-750nm光谱范围内仍呈现优异光电响应性能：最大光电响应度达19 AW?1，探测率达8×1012 Jones，响应速度达36毫秒，这归因于纳米片的单晶特性及其带来的高效激子扩散与电荷传输。本研究表明具有单晶特征的二维有机纳米片有望成为柔性电子与光电器件的理想候选材料。

    关键词： 有机光电晶体管、宽带光响应、电荷传输、F16CuPc纳米片

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 基于黑磷的超宽带、高速、高量子效率光电探测器

    摘要： 黑磷（BP）作为一种无面外悬键的窄带隙半导体，在宽带可集成光电探测器应用中展现出潜力。然而，同时实现高速与高效运行仍是当前基于黑磷的光电探测器面临的关键挑战。本研究展示了一种基于黑磷范德华异质结构的光电探测器，该器件在室温下可实现可见光至中红外波段的宽带响应，外量子效率（EQE）达20%-52%。结合噪声测量结果表明该探测器可检测皮瓦级光强。此外，实验显示该黑磷探测器具有超快上升时间（1.8纳秒）和下降时间（1.68纳秒），眼图测试表明其光电响应即使在连续快速光强调制（2100次循环，200兆赫兹）下仍呈现可重复的开关特性?；谡庑┨匦裕颐浅晒煤诹滓熘式峁古渲梦韫簿劢瓜晕⒕抵械牡阕刺讲馄?，适用于中红外成像应用。

    关键词： 范德瓦尔斯异质结构、中红外成像、黑磷、高速、宽带光响应、光电探测器

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 柔性碲纳米网光电探测器宽带光响应的压电调制

    摘要： 柔性光电探测器在智能可穿戴设备、健康监测和生物传感领域展现出巨大应用潜力。本研究通过分子束外延技术在柔性云母衬底上生长单晶β-碲纳米线，构建了高密度有序纳米网格结构?；陧谀擅淄裰票傅墓獾缣讲馄骶哂杏乓旎等崛托?，在紫外至近红外宽波段范围内响应迅速且光敏性良好。研究发现采用肖特基接触的柔性光电探测器能显著抑制暗电流，但与欧姆接触器件相比响应速度有所降低——这是因为空穴需要较长时间隧穿金属与p型碲之间的肖特基势垒。此外，柔性肖特基光电探测器的光响应可通过碲的压电效应进行调控，在多次弯曲后光电流出现显著提升。外应力作用下，极化电荷可调节金属/碲界面的肖特基势垒高度，从而导致光电流变化。该研究不仅揭示了碲纳米网格的宽波段光响应特性和压电效应，更推动了宽带柔性光电器件的集成与发展。

    关键词： 碲纳米网、压电效应、宽带光响应、分子束外延、柔性光电探测器

    更新于2025-09-11 14:15:04