修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

10 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 中压电机驱动中碳化硅功率电子器件的区域制造成本结构与供应链考量

    摘要： 随着宽带隙（WBG）半导体（特别是碳化硅SiC）技术的发展成熟，现已有必要深入理解其制造成本驱动因素、区域制造成本差异及工厂选址决策。此外，持续的研究与投资亟需分析性研究来指导宽带隙技术的发展方向。本文探讨了大规模量产预期下的器件、模块及电机驱动成本，同时梳理了当前供应链的区域贡献者，并提出如何利用基础模型评估拟议研究进展的降本潜力。

    关键词： 宽带隙、供应链、碳化硅、宽禁带、宽带隙、技术经济、WBG、自下而上、中压、电机驱动、宽禁带、分析、电力电子、成本模型

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [IEEE 2019年第三届电路、系统与仿真国际会议（ICCSS）- 中国南京（2019年6月13日-2019年6月15日）] 2019年第三届电路、系统与仿真国际会议（ICCSS）- 基于碳点反应层的深紫外光电探测器研究

    摘要： 深紫外光电探测器因其重要应用而备受关注。本文采用碳点作为活性层制备了深紫外光电探测器，该器件可检测波长低于320纳米的紫外光。通过以蒸馏水为电解质的电化学方法制备碳点并表征其特性，设计平面光导结构，采用热蒸发等工艺制备以碳点为反应层的有效器件并评估性能。结果表明：电化学法制备的碳点吸收峰位于230纳米附近，以碳点为活性层制备的光电探测器在254纳米光照下响应良好，器件光电流与暗电流比达到188。

    关键词： 宽带隙、深紫外、碳点、光电探测器

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 通过阴离子工程化宽带隙钙钛矿实现高效稳定的硅串联电池

    摘要： 要实现钙钛矿-硅叠层太阳能电池的功率转换效率（PCE）超越肖克利-奎塞尔单结电池极限，需要具有宽禁带的高性能稳定钙钛矿顶电池。我们开发出一种禁带宽度约1.7电子伏特的稳定钙钛矿太阳能电池，在连续光照1000小时后仍保持初始20.7% PCE的80%以上?；诒揭绎В≒EA）的二维（2D）添加剂阴离子工程对控制PbI2框架基二维钝化层的结构和电学特性至关重要。通过顶电池与底电池光谱响应的理想组合，实现了单片双端宽禁带钙钛矿/硅叠层太阳能电池26.7%的高PCE。

    关键词： 串联太阳能电池、阴离子工程、钙钛矿、硅、宽带隙

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 一种用于高效全小分子有机太阳能电池的新型宽带隙小分子给体，具有较小的非辐射能量损失

    摘要： 全小分子有机太阳能电池（SM-OSCs）因小分子具有易提纯、化学结构明确及批次差异小等优点而备受关注。要实现高性能SM-OSCs，合理设计匹配良好的给受体材料以降低能量损失至关重要。本研究通过首次引入噻唑并[5,4-d]噻唑（TTz）单元作为构建基元，开发了一种新型宽带隙小分子给体BTTzR?；贐TTzR与Y6的优化器件展现出13.9%的卓越光电转换效率（PCE）。更重要的是，该器件表现出仅0.18 eV的极低非辐射能量损失，与无机材料相当。本工作表明BTTzR是高性能SM-OSCs应用中极具前景的小分子给体材料，并为降低有机太阳能电池非辐射能量损失提供了材料设计新思路。

    关键词： 小分子给体、有机太阳能电池、能量损失、宽带隙、高效率

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 一种新型宽带隙给体聚合物助力高效非富勒烯有机太阳能电池实现高开路电压

    摘要： 非富勒烯小分子受体（NF-SMAs）领域取得显著进展，推动非富勒烯有机太阳能电池（NF-OSCs）的功率转换效率（PCE）持续提升。为实现与高性能NF-SMAs更好的兼容性，供体聚合物的分子设计方向聚焦于宽禁带（WBG）、特性定制化以及优先考虑器件制备的环保加工性。本研究合成弱受体单元甲基2,5-二溴-4-氟噻吩-3-甲酸酯（FE-T），并将其与苯并[1,2-b:4,5-b′]二噻吩（BDT）共聚，制备了一系列在FE-T上带有独特侧链的非卤代溶剂加工型WBG聚合物P1-P3。FE-T的引入使聚合物具有-5.60至-5.70 eV的深最高占据分子轨道（HOMO）能级、与NF-SMAs互补的吸收特性及平面分子构象。当与窄禁带受体ITIC-Th组合时，基于FE-T最短甲基链的P1聚合物构建的太阳能电池实现11.39%的PCE，开路电压（Voc）达1.01 V，短路电流密度（Jsc）为17.89 mA cm?2。此外，基于WBG P1、窄禁带PTB7-Th和受体IEICO-4F的三元电池获得12.11%的PCE。这些结果表明，新型FE-T单元是构建高效NF-OSCs用WBG聚合物极具前景的受体单元。

    关键词： 互补吸收、宽带隙、给体聚合物、非富勒烯有机太阳能电池、非卤化溶剂

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 中间带材料器件模型

    摘要： 氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，是继硅之后半导体行业最受青睐的材料。推动这一趋势的主要领域包括发光二极管、微波技术，以及近年来的功率电子器件。新兴研究方向还包括利用GaN独特性质的自旋电子学和纳米带晶体管。GaN的电子迁移率与硅相当，但其禁带宽度是硅的三倍，这使其成为高功率应用和高温工况下的理想材料。通过形成能展现二维电子气现象的薄层AlGaN/GaN异质结构，可制备具有高约翰逊优值的高电子迁移率晶体管。另一个尚未充分探索的有趣研究方向是基于GaN的微机械器件或氮化镓微机电系统（MEMS）。要充分释放GaN潜力并实现全GaN先进集成电路，必须将无源器件（如谐振器和滤波器）、传感器（如温度和气体传感器）及其他超越摩尔定律的功能器件与GaN有源电子器件进行协同集成。因此，将GaN用作机械材料的研究兴趣日益增长。本文综述了GaN的机电、热学、声学和压电特性，并阐述了已报道的高性能GaN基微机电部件的工作原理，同时展望了GaN MEMS可能的未来研究方向。

    关键词： 宽带隙、谐振器、高电子迁移率晶体管、微加工、III-V族材料、微机电系统、压电材料

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 基于咔唑-甲酸酯衍生物的通用主体材料用于蓝、绿和红光磷光有机发光二极管

    摘要： 设计适用于不同颜色掺杂剂的通用主体材料对实现高效有机发光二极管（OLED）仍具有重要意义。本研究设计并合成了两种具有平面给体-π-受体（D-π-A）结构的新颖甲酸基咔唑异构体（2CzMC和4CzMC），作为磷光OLED（PhOLED）的主体材料。由于分子内电荷转移特性较弱且共轭延伸受限，2CzMC和4CzMC均表现出约380 nm的宽带隙发射及高三线态能级（2CzMC为2.83 eV，4CzMC为2.90 eV）。掺杂蓝、绿、红磷光材料的2CzMC和4CzMC薄膜光致发光光谱显示，能量完全从主体材料转移至掺杂剂。采用这些掺杂薄膜作为发光层构建的同结构PhOLED器件展现出优异性能，其中基于4CzMC-FIrpic的蓝光器件外量子效率（EQE）高达18.9%。本研究为开发适用于不同颜色PhOLED的新型咔唑基主体材料提供了分子设计策略。

    关键词： 磷光有机发光二极管（PhOLEDs）、主体材料、咔唑、宽带隙、甲酸盐

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 宽带隙钙钛矿晶格平面微调实现高效稳定超1.5V高压平面太阳能电池

    摘要： 无碘化物掺杂的三溴化物钙钛矿因其超过2.0 eV的宽禁带特性，被视为光电解水系统和叠层太阳能电池顶电池的优质候选材料。本研究报道了铯离子（Cs）在A位点微调晶格结构对低温制备甲脒铅三溴化物（CH(NH2)2PbBr3=FAPbBr3）钙钛矿薄膜的重要影响。部分溴化铯（CsBr）掺入FAPbBr3薄膜可调控晶格相互作用，形成具有择优取向的高纯度立方晶系。采用含8%铯的FAPbBr3（Cs0.08FA0.92PbBr3）组装的全低温平面光伏器件展现出8.56%的最佳光电转换效率（PCE）和1.516 V的开路电压（Voc），显著优于FAPbBr3器件（PCE 7.07%，Voc 1.428 V）。通过激光扫描共聚焦时间分辨显微镜（LCTM）进行的荧光强度及时空成像测量表明，CsBr掺杂显著抑制了非辐射复合路径并均匀化了荧光空间分布?？墒踊峁允綜sBr掺杂直接影响体相缺陷和荧光特性，证实铯离子能有效缓解钙钛矿薄膜中的离子偏析与团聚。值得注意的是，载流子寿命约270 ns的Cs0.08FA0.92PbBr3薄膜，其辐射复合时间（270 ns）较FAPbBr3薄膜（210 ns）延长1.37倍。此外，在空气环境（2000小时）和严苛条件（65°C/65% RH，500小时）下的无封装老化实验表明，Cs0.08FA0.92PbBr3器件具有更优异的稳定性。

    关键词： 低温工艺，高开路电压，宽带隙，溴化铯，甲脒铅溴

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 重碱后沉积处理对宽禁带Cu(In,Ga)Se2的影响

    摘要： 研究了钾、铷和铯沉积后处理（PDT）对宽带隙Cu(In,Ga)Se?（CIGSe）吸收层的影响。结果表明，碱金属处理可提升电池效率并实现更高的开路电压（VOC）。尽管效率有所改善，但处理样品的激活能（EA）仍小于带隙（Eg），且红光下的VOC(t)瞬态呈现负斜率。因此，宽带隙CIGSe器件仍受限于界面复合。然而，相同Eg的处理与未处理样品的VOC(t)瞬态具有不同斜率（dΔVOC(t)/dt）。经重碱金属（RbF和CsF-PDT）处理的CIGSe样品相比无PDT及KF-PDT样品展现出更小的斜率。本文通过关联光照依赖的掺杂密度（NA,a）及可能的钠交换机制，探讨了VOC(t)斜率（即dΔVOC(t)/dt）的变化规律。

    关键词： 碱处理、宽带隙、(Ga)Se2、Cu(In)、复合、沉积后处理、太阳能电池、开路电压

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 基于4H-SiC肖特基二极管的极端温度传感器高温工作极限评估

    摘要： 我们基于肖特基二极管（SD）建立了用于计算二极管温度传感器（DTS）参数的简化理论模型。所考虑的二极管的电流流动机制以过势垒热电子发射为主导。确立了此类DTS的基本电物理参数之间的定性关联，推导出了DTS极限高温参数的表达式。通过采用镍/碳化硅（4H型）肖特基接触的DTS测试样品验证了理论结果。研究表明，该类DTS的物理高温工作极限（>1250K）超过了基于硅、砷化镓、铝镓砷p-n结的商业DTS，且基于SD的DTS本身展现出显著更低的能耗。

    关键词： 宽带隙、热敏性、高温、肖特基二极管、温度传感器、半导体、热极限

    更新于2025-09-09 09:28:46