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高掺杂单晶衬底上β-Ga?O?肖特基势垒二极管的温度依赖电学特性
摘要： 在高度掺杂的单晶衬底上制备了β相氧化镓（β-Ga2O3）肖特基势垒二极管，通过正向/反向电流密度-电压及电容-电压特性测试全面研究了其温度依赖性电学特性。肖特基势垒高度与理想因子均呈现温度依赖行为，揭示了界面缺陷导致的势垒界面非均匀性。将电压依赖的肖特基势垒引入热电子发射理论后，可进一步验证非均匀势垒模型。此外，由于材料和表面质量良好，反向漏电流主要由体区漏电流主导，并测得了单位距离漏电流值。这些结果可为设计基于高掺杂衬底或外延层的高效β-Ga2O3电子/光电器件提供重要参考。
关键词： 功率电子学，肖特基势垒二极管，宽禁带材料，氧化镓
更新于2025-09-22 21:21:08
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基于宽禁带材料的半导体功率器件研究进展概述
摘要： 宽禁带材料因其优异的物理特性（如更高的热导率和卓越的电学性能）引起了科学家和工程师的广泛关注。目前，基于宽禁带材料的半导体功率器件研究已取得重大进展。新开发的WBG（宽禁带）功率器件——例如1200V直驱碳化硅JFET功率开关和高可靠性的氮化镓MOS HFET——相比传统硅基功率器件展现出更优的性能与优势。这些功率器件通过成功商业化已广泛应用于多个领域，其可靠性与有效性得到了充分验证。WBG功率器件的应用显著提升了电路性能，推动了新一代电子产品的演进。本文重点介绍几种基于宽禁带材料（包括氮化镓、IGBT、JFET、MOSFET、整流器及其碳化硅对应器件）的功率器件最新研究进展与成果，分别探讨并比较它们的特性、性能及相应应用场景，随后阐述这些器件存在的缺陷与局限及相应的解决方案，最后分析宽禁带功率器件未来的发展趋势与前景。
关键词： 整流器、氮化镓（GaN）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、宽禁带材料、碳化硅（SiC）、结型场效应晶体管（JFET）、半导体功率器件
更新于2025-09-11 14:15:04