密堆积和电场对三维堆叠量子点光学性质的影响

摘要： 本文提出了一种评估立方体密堆积状态下球形量子点位置的算法，并通过数值计算验证了其准确性。随后描述了在外加电场条件下求解相应三维薛定谔方程的有限差分方法，采用Arnoldi分解法对生成的大型稀疏矩阵进行对角化。结果表明：电场的强度和方向均会显著改变吸收峰高度，二者均具有重要影响。研究对比了GaAs/AlxGa1?xAs和InSb/GaSb两种半导体结构，发现后者具有更优的可调谐吸收系数特性，并考察了组分参数x对上述光学性质的影响。结合前期研究证实该结构可实现1.2-8.4 THz宽频段光电探测，有望作为成像、医疗及材料表征等工业领域光电探测设备的候选方案。