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oe1(光电查) - 科学论文

8 条数据
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  • 利用扎金索斯葡萄干和氧化石墨烯实现石墨烯层的绿色合成新方法

    摘要： 本研究展示了一种简便的石墨烯层制备方法，并首次报道了使用扎金索斯黑加仑提取物有效还原氧化石墨烯的方法。扎金索斯黑加仑（ZC）提取物能高效地将氧化石墨烯还原为少层石墨烯结构（FLG）。通过扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）研究了少层石墨烯与氧化石墨烯的形貌特征。采用拉曼光谱、傅里叶变换红外光谱（FTIR）、X射线衍射（XRD）和紫外分光光度法等技术验证了氧化石墨烯的还原效果。该工艺避免了危险化学品的使用，为化学还原石墨烯的大规模生产提供了新希望。

    关键词： 氧化石墨烯（GO）、少层石墨烯（FLG）、扎金索斯黑加仑（ZC）、绿色合成

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 基于少层石墨烯薄片的可调谐移相器

    摘要： 这封信介绍了一种基于少层石墨烯的电压控制可调移相器。该移相器由一段加载短截线的传输线构成，其主体为微带线，通过渐变结构连接一个短截线与石墨烯贴片。施加在石墨烯贴片上的偏置电压会改变石墨烯的电阻值，从而最终引起相位变化。当无电压偏置时，石墨烯呈现高阻态，使短截线处于隔离状态，导致低相位偏移。随着偏置电压升高，石墨烯电阻降低，短截线效应更为显著，相位偏移随之增大。研究团队设计并测试了工作频率范围为5至6GHz的原型器件，实测最大相位偏移达40°，对应的插入损耗恶化为3dB。

    关键词： 可调谐微波器件、石墨烯、移相器、少层石墨烯

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 石墨到石墨烯：利用仙人掌（Opuntia ficus-indica）的绿色合成法

    摘要： 绿色合成法推动用更环保的化学物质部分或完全替代潜在危害环境的化学品，同时注重降低能耗。本研究将1.0克商用石墨与1.0毫升仙人掌(Opuntia ficus-indica, Ofi)及50毫升去离子水混合于玻璃烧杯中，在室温下经超声浴处理30分钟。随后将上清液转移至玻璃基底干燥。通过拉曼光谱、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)对石墨纳米结构进行表征：拉曼光谱用于分析晶体结构，经二维谱带解卷积处理的G峰与2D峰相对强度比表明形成了四至五层石墨烯；XRD图谱显示(002)晶面强度显著降低，其0.34纳米厚度特征符合石墨结构；XPS测得的C:O比值与少层石墨烯(FLG)文献报道的氧化程度相当；AFM图像显示片层粗糙度存在约100纳米长度、1纳米高度的小台阶。TEM分析揭示了材料形貌结构：观察到约一微米范围的薄层石墨烯，在10纳米尺度下识别出二至五层的结构。这些结果表明该方法可在不使用酸或强化学氧化剂的条件下，通过环保途径合成少层石墨烯。

    关键词： 少层石墨烯，超声处理，仙人掌（Opuntia ficus-indica），绿色合成

    更新于2025-09-22 14:50:01

  • [IEEE 2019年第18届国际光通信与网络会议(ICOCN) - 中国黄山(2019.8.5-2019.8.8)] 2019年第18届国际光通信与网络会议(ICOCN) - 高度可调谐石墨烯环形调制器

    摘要： 我们提出了一种基于少层石墨烯的环形调制器。其共振波长的偏移量可增大至20.3纳米，并能获得15.5分贝的高消光比。

    关键词： 少层石墨烯，环形调制器，大可调谐性

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 通过液相脉冲激光烧蚀在铜基底上选择性制备少层石墨烯及其形成机制

    摘要： 本文报道了通过液相脉冲激光烧蚀技术在铜基底上选择性制备少层石墨烯（FLG）及其形成机制。该方法无需其他前驱体材料，可在常压室温条件下直接于铜箔表面生长FLG，具有工艺简单可控的特点。实验获得了厚度为3-10层、横向尺寸连续达数百微米的少层石墨烯。通过拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜及原子力显微镜对FLG的形貌与结构进行了表征?；诩す?材料-基底三者的相互作用，提出了FLG的形成机制及等离子体碳物种的作用机理。本研究发现通过液相脉冲激光烧蚀技术可直接在铜基底沉积FLG，将为可控形貌少层石墨烯的绿色制备开辟新途径。

    关键词： 形成机制、铜基底、形貌选择性制备、少层石墨烯、液相脉冲激光烧蚀

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 通过微波辅助剥离膨胀石墨获得的大尺寸少层石墨烯片的电学特性

    摘要： 通过甲苯中膨胀石墨的(β)波辅助剥离法合成了少层石墨烯(FLG)，总产率约为7%至20%。膨胀石墨与甲苯对(β)波吸收率的显著差异使得介质能够快速升温。所得FLG片层数为3至12层，横向尺寸超过数微米。该FLG表现出极低电阻，平均值1.6千欧（最低500欧），与化学气相沉积法制备的高质量石墨烯相当，且低于多数剥离法石墨烯。

    关键词： （cid:2）波、电学性能、膨胀石墨、少层石墨烯、电阻、液相剥离法

    更新于2025-09-11 14:12:44

  • 通过微流化技术直接液相剥离石墨制备少层石墨烯

    摘要： 石墨烯因其优异的物理化学性质受到广泛关注。为便于研究和应用，通过简便方法制备高质量、高产率的石墨烯至关重要。本研究展示了一种有前景的方法：在水/表面活性剂体系中采用直接微流化技术制备高浓度少层石墨烯（FLG）分散液。系统研究了表面活性剂选择、腔室压力和微流化循环次数对石墨材料剥离效率的影响。通过系列表征确定了所制FLG的浓度与品质。该工艺在数小时内即可获得平均横向尺寸0.6微米、少层结构的高浓度石墨烯分散液（最高达1.7 mg/mL），其C/O比约19-36，表面活性剂稳定化的石墨烯浓度参数=0.07-0.56。该方法将促进液相剥离法大规模制备高质量石墨烯，推动石墨烯的工业化应用。

    关键词： 高浓度、少层石墨烯、微流化、液相剥离、水性石墨烯分散液

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 少数层石墨烯在高电场下的结构稳定性

    摘要： 材料结构的稳定性是决定其服役能力与寿命的关键因素。通过原位透射电镜技术，我们直接观测到垂直取向少层石墨烯（FLG）在高电场作用下的结构演化过程。FLG的结构稳定性取决于其结晶度与边缘形貌：无针孔缺陷的垂直FLG可承受超过58.5 V/nm的静电??；存在针孔缺陷的垂直FLG会因场致蒸发从顶部向底部解体，临界静电场降至17.4 V/nm；层间卷曲且垂直于电场方向的垂直FLG会因层间滑移在边缘产生拉伸变形，其临界断裂静电场低至7.5 V/nm（比平行于电场方向的卷曲层结构临界场24.7 V/nm低一个数量级）。这些成果首次直接揭示了高电场作用下FLG的纳米结构演化规律，有助于理解自由空间中FLG的高电场劣化机制，并为场发射电子源、扫描隧道显微镜等高电场应用提供指导。

    关键词： 少层石墨烯、层间滑动、场致蒸发、结构稳定性、高电场

    更新于2025-09-04 15:30:14