高载流子迁移率还原氧化石墨烯薄膜器件的温度依赖性电输运特性

摘要： 我们证实了通过脉冲激光沉积法制备的高迁移率还原氧化石墨烯（RGO）薄膜具有可变的电输运特性。温度依赖性（5K–350K）的四端电输运测量显示：在低温区（5K–210K）和高温区（210K–350K），载流子分别呈现变程跳跃和热激活输运机制。计算得出的局域长度、费米能级（EF）附近态密度、跳跃能及阿伦尼乌斯能隙为解释RGO薄膜的优异电学性能提供了重要依据。霍尔迁移率测量证实薄膜呈p型特性。通过调节生长参数可调控载流子霍尔迁移率，实测最大迁移率达1596 cm2V?1s?1。拉曼光谱和X射线衍射分析揭示的结构特性（如缺陷密度、sp2团簇平均尺寸及还原程度）有力支撑了电学性能优化的实现。