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oe1(光电查) - 科学论文

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  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 美国伊利诺伊州芝加哥（2019.6.16-2019.6.21）] 2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 用于增强前后光伏电池光电流的自对准选择性区域多晶硅/二氧化硅钝化接触

    摘要： 我们已开发并运用含四分量电压电流的自旋电路来分析各类结构（包括非共线铁磁体）。近期铂、钽和钨等重金属中大自旋轨道力矩的发现，为自旋电子学应用开辟了新途径——提供了向磁体写入信息的替代方案。本文基于标准扩散方程，将四分量（一电荷三自旋）电导矩阵拓展至含自旋霍尔效应的材料体系。所提出的自旋电路成功复现了自旋霍尔效应（SHE）、逆自旋霍尔效应及自旋霍尔磁阻等经典结果，该电路模型还能便捷分析新型构型：1）无需隧穿势垒即可通过巨自旋霍尔效应（GSHE）材料向半导体注入自旋；2）薄层GSHE样品单表面自旋极化对另一表面自旋流注入的增强效应。最后，我们给出了可用于构建任意形GSHE材料分析单元的小立方体基本电导矩阵。

    关键词： 四分量自旋电路、自旋霍尔磁阻效应、巨自旋霍尔效应、电导矩阵、逆自旋霍尔效应、自旋源/汇、自旋霍尔效应

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [2019年IEEE光子学与电磁学研究秋季研讨会（PIERS-Fall）- 中国厦门（2019.12.17-2019.12.20）] 2019光子学与电磁学研究秋季研讨会（PIERS-Fall）- 嵌入于单共享宽带光源工作的频谱切片WDM-PON传输系统中的光纤布拉格光栅传感器网络

    摘要： 过去已开发并运用包含四个分量电压和电流的自旋电路来分析各类结构（包括非共线铁磁体）。近期在铂、钽和钨等重金属中观测到巨大自旋轨道力矩的现象，为自旋电子学应用开辟了新途径——提供了向磁体写入信息的替代方案。本文基于标准扩散方程，将四分量（一个电荷分量与三个自旋分量）电导矩阵拓展至具有自旋霍尔效应的材料体系。我们提出的自旋电路成功复现了自旋霍尔效应（SHE）、逆自旋霍尔效应及自旋霍尔磁电阻等经典结果，该电路表征方法还能直接用于分析新构型。我们展示两个实例：1）利用巨自旋霍尔效应（GSHE）材料无需隧穿势垒即可向半导体注入自旋；2）薄层GSHE样品单表面自旋极化对另一表面自旋流注入的增强效应。最后，我们给出了可用于分析任意形状GSHE材料的小立方体基本电导矩阵单元。

    关键词： 自旋进动/沉降，自旋霍尔磁阻，电导矩阵，巨自旋霍尔效应，逆自旋霍尔效应，四分量自旋电路，自旋霍尔效应

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE光子学与电磁学研究秋季研讨会（PIERS-Fall）- 中国厦门（2019.12.17-2019.12.20）] 2019年光子学与电磁学研究秋季研讨会（PIERS-Fall）- 实现高灵敏度等离子体本征与外禀光纤传感器的新方法

    摘要： 过去已开发并运用包含四个分量电压和电流的自旋电路来分析各类结构（包括非共线铁磁体）。近期在铂、钽和钨等重金属中观测到强自旋轨道力矩的现象，为自旋电子学应用开辟了新途径——提供了向磁体写入信息的替代方案。本文基于标准扩散方程，将四分量（一个电荷分量和三个自旋分量）电导矩阵拓展至具有自旋霍尔效应的材料体系。我们提出的自旋电路成功复现了自旋霍尔效应（SHE）、逆自旋霍尔效应及自旋霍尔磁电阻等标准结果。该电路表征方法还能直接用于分析新构型：首先展示巨自旋霍尔效应（GSHE）材料无需隧穿势垒即可向半导体注入自旋的可行性；其次揭示薄层GSHE样品中单表面自旋极化对增强另一表面自旋电流注入的作用。最后给出可用于构建任意形GSHE材料分析单元的小立方体基本电导矩阵。

    关键词： 自旋接地/下沉、自旋霍尔磁阻、电导矩阵、巨自旋霍尔效应、逆自旋霍尔效应、四分量自旋电路、自旋霍尔效应

    更新于2025-09-19 17:13:59