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oe1(光电查) - 科学论文

3 条数据
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  • 利用原子级薄二硫化钼进行电荷光学成像

    摘要： 绘制局部表面电荷分布对于理解各种表面过程至关重要，同时也能检测与表面结合的分子。我们在此展示单层二硫化钼（MoS2）的光学吸收对电荷高度敏感，并利用这种原子级薄材料实现了局部表面电荷分布的光学成像。我们通过电化学栅极验证了成像原理并进行了电荷灵敏度校准。进一步研究表明，带电分子与这种原子级薄材料的结合会导致图像对比度发生显著变化，从而能够测定吸附分子的电荷量。这一能力为表征二维材料中的杂质和缺陷，以及实现分子的无标记光学检测和电荷分析开辟了新途径。

    关键词： 电化学门控、单层二硫化钼、蛋白质结合、局部电荷成像、带电杂质

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 栅极电介质中陷阱电荷与高k封装对MoS?晶体管性能的影响

    摘要： 通过采用不同厚度的SiO2作为栅介质、HfO2作为MoS2表面封装层，研究了栅介质中陷阱电荷与高k封装层对MoS2晶体管性能的影响。结果表明：SiO2中的正陷阱电荷能增加MoS2电子数量以屏蔽SiO2及SiO2/MoS2界面处带电杂质(CI)的散射，从而提升载流子迁移率；但当栅介质更厚且陷阱电荷更多时，CI散射效应增强并可能主导电子屏蔽作用导致迁移率下降。另一方面，HfO2封装会使器件关态电流大幅增加且阈值电压负向偏移——这是由于HfO2中更多正陷阱电荷诱导产生了额外电子。这些电子对CI散射的屏蔽效应会提升迁移率，且迁移率增幅随CI散射强度增大而提高。在遭受最强CI散射的样品中获得了51%的迁移率改善，充分证明了高k介质对CI散射的有效屏蔽作用。

    关键词： 带电杂质（CI）散射、迁移率、高k封装、陷阱电荷、二硫化钼场效应晶体管（MoS2 FET）

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 辐照石墨烯场效应晶体管中的低频噪声

    摘要： 我们展示了对辐照单层石墨烯中低频噪声的定量分析。在本研究中，我们用90电子伏特的氩离子对背栅石墨烯晶体管进行反复辐照，并在每次辐照后测量其低频噪声和沟道电导率。结果表明，噪声幅度随空位缺陷密度的增加而单调递减。通过结合低频噪声测量与载流子输运研究，我们发现迁移率涨落模型可以解释这一现象，且空位缺陷密度、带电杂质密度以及载流子平均自由程共同决定了噪声幅度。

    关键词： 迁移率波动模型、低频噪声、带电杂质、辐照石墨烯、空位缺陷、平均自由程

    更新于2025-09-10 09:29:36