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通过堆叠π电子体系取向控制圆偏振发光
摘要： 基于4,7,12,15-四取代[2.2]对环芳烷的新平面手性构建?？橥ü庋Р鸱植街璧暮铣陕废呋竦?。利用这些构建?？楹铣闪擞闪礁龆训纬蒝型高级有序结构的荧光团组成的平面手性对映体。这些V型分子发射出强烈的圆偏振发光（CPL）。将其手性光学性质与具有相同两个堆叠荧光团的X型分子进行比较，X型分子的CPL符号与V型分子相反，理论结果支持这一现象，表明CPL符号可通过堆叠荧光团的取向来控制。
关键词： 圆偏振发光、平面手性、高级有序结构、[2.2]对环芳烷
更新于2025-09-23 15:23:52
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利用倏逝场偏振实现非手性金半环的巨大手征光学调制
摘要： 对于旨在实现片上偏振识别纳米天线的应用而言，从表面波到远场辐射的高效能量转换是理想特性。然而，单个纳米天线对表面波（如倏逝场）中特定偏振态的响应尚未得到充分研究。本研究报道了当在左旋与右旋圆偏振光全内反射产生的倏逝表面波激发之间切换时，非手性金半环对可见光散射呈现的巨大调制效应。该现象源于倏逝波平面横向与纵向场振荡间相对相位差异——这种差异取决于入射光的旋向性。由于自由空间激发中不存在纵向场振荡，这为手征光学响应提供了与传统机制根本不同的原理（传统圆二色性机制仅考虑纯横向场振荡）。虽然半环散射调制依赖于波矢取向，但由八个旋转对称排列的半环构成的平面手征纳米天线也实现了取向无关的响应，在725纳米波长处观测到高达50%的散射调制。尽管两种结构在切换自由空间光旋向性时均产生散射调制，但研究表明要观测到巨大散射调制必须依赖倏逝场独特的偏振特性。这些发现最终深化了我们对光-物质相互作用中可能手征光学效应范围的理解。
关键词： 纳米天线、外禀手性、倏逝场、平面手性、偏振鉴别、纵向场振荡
更新于2025-09-23 15:21:21
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平面手性[2.2]对环芳烷：光学拆分及转化为光学活性π-堆积分子
摘要： 本文介绍了我们近期在二取代和四取代[2.2]对环芳烷化合物实用光学拆分方法及其转化方面的研究成果。所获得的手性纯[2.2]对环芳烷化合物被用作手性构筑单元，制备了光学活性的π-堆叠分子。由于堆叠的π电子体系取向，这些π-堆叠分子构建出光学活性的二阶结构，如V型、N型、M型、X型、三角形以及单手性双螺旋结构。它们通过光激发发射圆偏振发光（CPL）。本文中的[2.2]对环芳烷基手性π-堆叠分子不仅具有优异的荧光量子效率和大摩尔消光系数，因而发光明亮，而且当然也发射具有较大不对称因子（glum值）的CPL。使用其他手性骨架基本难以实现兼具高亮度、高荧光效率和较大glum值的高效CPL发射；因此，平面手性[2.2]对环芳烷是作为优异CPL发射体的理想骨架。
关键词： [2.2]对环芳烷，平面手性，圆偏振发光
更新于2025-09-23 15:21:01