- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
快重离子辐照钽酸锂中潜在径迹与新红外波导的形成
摘要： 本研究采用200 MeV Kr17+离子束（注量1×1012 cm?2）和247 MeV Ar12+离子束（注量1×1012 cm?2与3×1012 cm?2）对LiTaO?单晶进行辐照，对比研究了潜离子径迹与红外光波导的形成机制。通过透射电镜图谱分析和卢瑟福背散射/沟道谱等互补技术，实验测定了强电子能量损失导致的晶格无序态及潜径迹形成过程?；诜堑匀确迥Ｐ停攵圆煌胱又掷?、辐照能量及电子能量损失条件，数值计算了Kr17+与Ar12+辐照LiTaO?晶体中晶格温度的时空演化规律，模拟结果从理论上阐释了实验观测到的晶格无序与潜径迹行为特征。高分辨X射线衍射图谱证实潜离子径迹区存在晶格膨胀现象，该效应导致折射率降低，为光学性能调控及波导结构制备提供了途径。光学测量与模拟表明，所形成的LiTaO?波导能有效支持导模并约束光传输，尤其在红外波段表现显著。
关键词： 快重离子辐照，潜离子径迹，电子能量损失，红外波导
更新于2025-11-14 17:04:02
-
通过快重离子辐照产生的潜径迹改性的MoSe?场效应晶体管中的电子输运
摘要： 过渡金属二硫化物（TMDCs）具有可调带隙和超薄体厚度等独特特性，使其成为光电子、气体传感和储能器件应用的潜在候选材料。本工作采用1.8 GeV钽离子（离子注量范围1×10?-6×101? ions cm?2）在MoSe?中引入非晶缺陷区（潜径迹），研究辐照后TMDC沟道场效应晶体管（FETs）的电子输运行为。快重离子辐照诱导的材料缺陷对器件应用具有重要影响。结果表明：随着离子注量增加，载流子迁移率下降而器件电阻急剧上升。我们详细分析了潜径迹对TMDC沟道FETs电子输运行为的影响机制，推定电子布洛赫波会受到SHI辐照诱导潜径迹的强局域化作用，同时也会发生散射。本研究有助于探究潜径迹对其他二维材料电子输运的影响。
关键词： 潜在径迹、场效应晶体管、二硒化钼、电子输运、快重离子辐照
更新于2025-11-14 17:03:37
-
铜掺杂与快重离子辐照对硫化铅量子点的影响及其在太阳能电池中的应用
摘要： 通过化学方法和离子辐照法将铜离子作为掺杂剂引入硫化铅量子点中。采用能量为100 MeV的铜快重离子束对样品进行辐照，设置三种不同剂量：1×1011、3×1011和1×1012 离子/平方厘米。采用多种技术对掺杂及辐照样品进行表征，并将其作为敏化层应用于太阳能电池。在白光照射条件下研究太阳能电池的电流密度-电压特性，测得短路电流密度(Jsc)、开路电压(Voc)、填充因子及转换效率等参数。辐照量子点电池获得高达4.78%的效率，显著优于原始量子点电池和掺杂量子点电池。但较高离子剂量会导致量子点内产生非预期的颗粒团聚，使电池效率下降。
关键词： 铜掺杂、太阳能电池、快重离子辐照、硫化铅量子点
更新于2025-09-16 10:30:52