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金(111)界面工程促进1T′-MoSe?生长
摘要： 二维过渡金属硫族化合物（TMDCs）因其不同相态的独特性质而成为相位可控合成的研究热点。然而由于第六族TMDCs金属相的亚稳特性，其制备面临挑战。在单层尺度上，界面工程可用于稳定亚稳相。本研究通过分子束外延技术，在Au(111)基底上实现了单层1H或1T'-MoSe2的选择性生长；利用扫描隧道显微镜与谱学技术可明确区分这两种相态。原始Au(111)基底更利于1H-MoSe2生长，而预沉积Se则促进1T'-MoSe2形成。密度泛函理论计算证实，Se预处理Au(111)基底上1T'-MoSe2相的选择性生长源于Mo插层诱导的1T'相稳定化机制。此外，实验观察到1T'孪晶界和1H-1T'异质结并发现其具有增强的隧穿导电性。该基底预处理相位调控外延策略可推广至Au(111)上其他第六族TMDCs的生长。
关键词： 相位控制、异质结、扫描隧道显微镜/谱学、界面工程、过渡金属二硫化物、二硒化钼
更新于2025-09-23 15:23:52
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InSe(0001)表面自组装铟纳米结构的形成
摘要： 二维层状晶体的表面由于去润湿效应，成为金属纳米结构自组装最具前景的模板之一。通过扫描隧道显微镜/谱（STM/STS）和低能电子衍射对作为拓扑模板的初始InSe（0001）表面进行了表征。研究发现，用于纳米结构形成过程的InSe（0001）表面是一个覆盖着三角形位点阵列的模板。本文展示了在InSe层状半导体晶体（0001）表面形成铟纳米结构的STM/STS研究结果。铟被热沉积在原位获得的结构完美的InSe晶体解理面上。几何上高度不均匀的初始（0001）InSe表面通过激活去润湿现象，导致沉积的铟纳米结构形成0维三角形核。由于去润湿过程，所获得的空间平均I-V曲线的STS结果使其依赖性从半导体特性转变为几乎金属特性。此外，形成的铟纳米结构的空间排列受到InSe表面宏观尺度六方晶格对称性的影响。
关键词： 异质纳米结构、模板导向组装纳米结构、层状晶体、扫描隧道显微镜/谱学、硒化铟、低能电子衍射
更新于2025-09-23 15:21:01
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铋介导的SiC(0001)衬底上外延石墨烯缺陷工程
摘要： 材料中结构缺陷通常是不受欢迎的，但若能精准控制缺陷密度与类型，原子级缺陷工程有望改善石墨烯的电学、力学和化学性能。本研究展示了一种针对SiC(0001)衬底外延生长石墨烯(EG)的铋介导缺陷工程方法。发现在标准EG制备前于SiC(0001)衬底蒸镀铋原子可促进单缺陷与缺陷团簇形成，而通过高温退火处理能彻底清除EG中的铋原子并避免其产生非预期掺杂效应。扫描隧道显微镜/谱表征揭示了花状、管状及点缺陷的原子结构、电子态及费米能级偏移。该研究阐明了金属介导的石墨烯缺陷形成机制，并提供了实用的缺陷工程方法。
关键词： 缺陷工程，扫描隧道显微镜/谱学，外延石墨烯（EG）
更新于2025-09-23 20:36:44