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确保光纤陀螺仪的耐辐射性及其改进方法
摘要： 基于俄国内外文献，分析了确保光纤陀螺仪及其主要部件（光纤、集成光学元件、光源、电子元件和光学材料）抗辐射性的问题，并探讨了可能的抗辐射性提升途径。
关键词： 光纤陀螺、抗辐射性、综述
更新于2025-09-23 15:22:29
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通过中间子电池中的GaInP背场提高GaInP/GaInAs/Ge三结太阳能电池的抗辐射性能
摘要： 本文研究了在GaInAs中间子电池中采用GaInP背?。˙SF）的GaInP/GaInAs/Ge三结空间太阳能电池与采用AlGaAs BSF的同类电池的抗辐射性能对比。结果表明，两者的初始电学性能几乎相同。但GaInP BSF电池的抗辐射性能有所提升：在累积剂量为10^15 e/cm2的1 MeV电子束辐照后，GaInP BSF电池和AlGaAs BSF电池的短路电流密度（Jsc）分别下降4.73%和6.61%，效率衰减分别为13.64%和14.61%，使降解水平降低了6%。本研究还探讨了GaInP BSF提升GaInP/GaInAs/Ge三结太阳能电池抗辐射性能的机理。当辐照累积剂量在1×10^14 e/cm2至1×10^16 e/cm2范围内变化时，也获得了相似结果。
关键词： 背场、电子束辐照、GaInP/GaInAs/Ge三结空间太阳电池、抗辐射性
更新于2025-09-23 15:19:57
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[IEEE 2018年NASA/ESA自适应硬件与系统会议（AHS）- 爱丁堡（2018.8.6-2018.8.9）] 2018年NASA/ESA自适应硬件与系统会议（AHS）- 一种具有卤化银全息存储器的400兆拉德抗辐射光电子嵌入式系统
摘要： 该论文探讨了具有全息存储系统的光学可重构门阵列（ORGA）的开发和特性，重点研究其在自适应硬件系统中的应用。论文展示了ORGA在辐射条件下的性能和可靠性实验结果，并与传统FPGA进行了对比。
关键词： 自适应硬件、抗辐射性、现场可编程门阵列、光可重构门阵列、全息存储器
更新于2025-09-23 04:15:40
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具有TCO减反射膜的异质结太阳能电池结构的抗辐射性能研究
摘要： 采用PECVD技术，以硅烷(SiH4)、甲烷(CH4)、氢气(H2)和磷化氢(PH3，2 vol.%溶于H2)为前驱体气体，在不同沉积条件下于p型Si(100)晶圆上制备了作为异质结结构发射极的磷掺杂碳化硅薄膜。随后通过射频磁控溅射在不同磷掺杂非晶碳化硅氢(a-SiC:H(n))薄膜表面沉积ITO或IZO透明导电氧化物薄膜。在室温下对样品结构进行总注量5×1011 cm?2的Xe离子辐照。研究了磷浓度及透明导电氧化物类型的影响。通过分析复阻抗谱，深入探究了辐照对样品电物理特性的影响机制。
关键词： Xe离子辐照、射频磁控溅射、TCO减反射膜、抗辐射性、阻抗谱、异质结太阳能电池、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）
更新于2025-09-19 17:13:59
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伽马射线辐照对Nd:GSAG晶体结构、光谱及激光损伤阈值的影响
摘要： 分别采用0、2、10和20 Mrad剂量的60Co伽马射线对Nd:GSAG晶体进行辐照，以研究其抗辐射性能。XRD和拉曼光谱表征结果表明，辐照未改变晶体结构。因此，辐照导致的晶体颜色变化可归因于晶体内部色心的形成。在20 Mrad辐照剂量下，晶体仅出现轻微的透过率和激光损伤阈值下降，表明该晶体具有优异的抗辐射能力。所有结果表明，Nd:GSAG晶体可作为潜在激光增益介质用于辐射环境。
关键词： 伽马射线、损伤阈值、Nd:GSAG、激光增益介质、抗辐射性
更新于2025-09-16 10:30:52
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抗辐射纳米线阵列太阳能电池
摘要： 太空动力系统需要轻质、高效、可靠且能在太空环境中运行数年乃至数十年的光伏技术。当前太阳能电池板采用基于III-V族化合物的平面多结太阳能电池，虽然效率极高，但其比功率（功率重量比）受限于辐射屏蔽层（如盖板玻璃）带来的额外质量——这些屏蔽层用于?；さ绯孛馐芴罩懈吣芰Ｗ臃涞乃鸷?。我们在此证明，相较于平面电池设计，III-V族纳米线阵列太阳能电池具有显著更优的抗辐射性能，并通过多种电池结构与材料（包括砷化镓和磷化铟）验证了这一结论。当受到100-350千电子伏质子与1兆电子伏电子辐照时，纳米线电池的损伤阈值比平面对照电池高出约10-40倍。通过蒙特卡洛模拟显示，这种提升部分源于纳米线尺寸效应导致的晶格位移密度降低?？狗涮匦越岷细咝У墓庋占安欢细慕哪擅紫吖夥阅埽砻髂擅紫哒罅杏型迪指弑裙β?、无衬底、大幅降低屏蔽要求的III-V族太空太阳能电池。更广泛而言，这种辐射损伤的显著降低意味着纳米线结构可能有助于提升其他电子与光电器件的抗辐射能力。
关键词： 空间环境、辐照诱导缺陷、抗辐射性、空间太阳能电池、蒙特卡罗模拟、纳米线太阳能电池、高比功率
更新于2025-09-11 14:15:04
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AIP会议论文集 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 摩洛哥非斯（2019年3月25-27日）] 第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 聚光空间太阳能阵列线性菲涅尔透镜的研制与研究
摘要： 已研发并制造出与多结InGaP/GaAs/Ge太阳能电池串联工作的高效超轻型双线性菲涅尔透镜聚光器。该聚光器总受光面积为(50×100)平方毫米，总厚度≤0.35毫米，光学焦距为32毫米。聚光器中每个线性透镜的菲涅尔轮廓由硅橡胶形成于≤100微米的耐辐射玻璃上。在AM0光谱(1367瓦/平方米)条件下，线性透镜聚光器的效率达90%。在辐照和热循环测试前后均检测了聚光器效率：经3×101?厘米?2注量的1兆电子伏特电子辐照后，线性透镜聚光器效率下降10%；辐射处理后的热循环测试中效率降幅<10%。经抗压测试后，线性透镜聚光器的光学效率下降13%，总损伤面积占比2.5%。
关键词： 太阳能聚光器、太空太阳能电池阵列、菲涅尔透镜、抗辐射性、热循环
更新于2025-09-11 14:15:04
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温度和伽马射线辐照对耐辐射光纤刻写光纤布拉格光栅光学特性的影响
摘要： 一种新型耐辐射锗硅酸盐玻璃光纤被制造出来，该光纤采用纯石英玻璃缓冲层和掺硼石英玻璃内包层，专为γ射线辐照环境下的光纤布拉格光栅（FBG）温度传感器应用而设计。在γ射线辐照前，1550.5 nm处光衰减的温度依赖性及18℃至40℃范围内的布拉格反射波长偏移量分别为约4.57×10?? dB/℃和5.48 pm/℃。在35℃总剂量22.85 kGy的γ射线辐照下，1550.5 nm处的辐射诱导光衰减和布拉格反射波长偏移量分别约为0.03 dB/m和0.12 nm，其γ射线辐照灵敏度为5.25×10?3 pm/Gy。对于掺硼石英玻璃内包层FBG光纤，在18℃至40℃温度变化及35℃总剂量22.85 kGy辐照条件下，其1550.5 nm处光衰减的温度依赖性和γ射线辐照依赖性分别比无掺硼内包层FBG光纤低约6倍和4倍。此外，温度升高对掺硼内包层FBG光纤布拉格反射波长的影响（约1000倍）远大于γ射线辐照的影响。但在温度及γ射线辐照变化下，未发现对布拉格波长反射功率及半高全宽带宽（FWHM）的影响。经22.85 kGy剂量辐照后，虽未观察到折射率显著变化，但光纤中产生的残余应力略有松弛或保留。
关键词： 光纤、辐射诱导衰减、光纤布拉格光栅、温度传感器、抗辐射性
更新于2025-09-11 14:15:04
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[2018年IEEE国际电路与系统研讨会（ISCAS）- 意大利佛罗伦萨（2018.5.27-2018.5.30）] 2018 IEEE国际电路与系统研讨会（ISCAS）- 高能物理中马赫-曾德尔调制器抗辐射高速驱动器设计
摘要： 本文介绍了一种高速驱动器的集成电路设计（采用CMOS 65 nm 1.2 V工艺），该驱动器为马赫-曾德尔调制器(MZM)提供差分输入信号，并通过调节偏置电压实现MZM工作点的调谐。设计采用深n阱沟槽构建多电压隔离域电路，以满足MZM的高电压摆幅和偏置调节需求?；诠韫庾觟SiPP50G技术实现的MZM器件原型，正成为耐辐射（可达数百Mrad）且高速（10 Gbps量级）光链路的有前景解决方案。这些严苛要求适用于大型强子对撞机升级或未来直线对撞机等高能物理实验。
关键词： 高速CMOS驱动器，马赫-曾德尔调制器驱动电路，抗辐射性，高能物理
更新于2025-09-11 14:15:04
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快离子辐照对GdBa?Cu?O???高温超导材料2G相关键参数的影响
摘要： 研究了离子辐照（132Xe27t，167 MeV；86Kr17t，107 MeV；40Ar8t，48 MeV）对第二代GdBa2Cu3O7-δ（SuperOx）超导带材临界特性（Ic、Tc、ΔTc）的影响。结果表明：低剂量Xe辐照下临界电流略有提升，且向超导态转变的宽度减小。所得数据使作者能够评估该HTS-2G带材对所用辐照的耐辐射性。关于临界温度，其下降起始注量远高于临界电流下降的起始注量，同时ΔTc也发生变化。临界电流下降可归因于辐照诱导的晶粒间相干边界无序化。当Tc降至零时，可粗略估算离子诱导的径迹半径。
关键词： 临界温度、辐射缺陷、HTS-2G带材、临界电流、抗辐射性
更新于2025-09-10 09:29:36