[IEEE 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 美国德克萨斯州奥斯汀市（2018.9.24-2018.9.26）] 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 掺杂剂扩散对硅纳米线场效应晶体管中随机掺杂波动的影响：一项量子输运研究

摘要： 在这项工作中，我们通过3×3 nm2硅纳米线（NW）场效应晶体管（FET）的统计量子输运模拟，研究掺杂扩散对随机掺杂涨落的影响。首先采用有效质量哈密顿量进行输运计算，其中限制质量和输运有效质量源自紧束缚能带结构计算。通过高斯掺杂分布模型描述掺杂剂沿输运方向从源/漏区向沟道区的扩散过程。为生成随机离散掺杂原子，我们采用考虑纳米线三维原子排布的拒绝采样方案。统计模拟结果表明：扩散至沟道区的掺杂原子会导致硅纳米线场效应晶体管出现显著的变异性问题。