施主掺杂钛酸铋陶瓷的点缺陷化学

摘要： 本通信报道了室温下掺钡钛酸铋(Bi4Ti3O12)的缺陷化学特性，重点研究了点缺陷对其电学性能的影响。采用传统固相反应法制备了纯相和掺钡Bi4Ti3O12样品。通过X射线衍射结合Rietveld精修分析监测了钡离子在Bi4Ti3O12晶体结构中的掺入情况，确定钡占据铋(Bi)晶格位点并伴随氧空位(V??O)的形成。利用阻抗谱和电子自旋共振光谱对点缺陷进行表征，结果表明其补偿机制主要由带正电的空穴(h?)和氧空位(V??O)主导。