低电导率PbSnTe:In薄膜中接触注入与电流空间电荷限制模式下的场效应

摘要： 在T=4.2K时，首次观察到基于分子束外延法在BaF2(111)衬底上生长的半绝缘PbSnTe:In薄膜样品中，空间电荷限制电流(SCLC)出现显著变化（最高达4倍）。该结果与通过改变表面处理方式使PbSnTe:In薄膜空间电荷限制电流变化达10^3倍以上的实验相符。从定性层面考虑了这样一种模型：由于载流子从接触电极注入，在空间电荷限制电流模式下，局域化表面态对所形成空间电荷有重要贡献。