可见光增强型银掺杂PbI2纳米结构/Si异质结光电探测器：掺杂浓度对光电探测器参数的影响

摘要： 本文研究了掺杂浓度对脉冲激光沉积(PLD)法制备的PbI2纳米结构薄膜及p-PbI2:Ag/n-Si光电探测器性能的影响。实验采用1%、3%和5%的银掺杂浓度制备PbI2薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明，所有沉积的PbI2薄膜均为多晶结构，沿(001)晶面呈现良好结晶的六方结构。结构分析显示，随着掺杂浓度增加，薄膜晶粒尺寸减小。能量色散X射线光谱(EDX)、扫描电子显微镜(SEM)及元素分布分析证实薄膜中存在Pb、I和Ag元素且接近化学计量比。PbI2薄膜的拉曼光谱显示，在73、94.3、108、165.7和208.9 cm?1处分别对应E2振动模式的拉曼峰，其中5 wt%掺杂薄膜在185 cm?1处出现对应2E1的拉曼峰。银掺杂后薄膜光学带隙从2.8 eV降至2.3 eV?；舳饬恐な党粱腜bI2薄膜为p型，其电阻率随掺杂浓度从1%增至5%而从1.1×104 Ω cm升高至1.8×107 Ω cm。