掺杂浓度对电化学沉积法制备的Yb-ZrSe?薄膜电子带隙能的影响及其光伏应用

摘要： 本研究采用电化学沉积法，探究掺杂浓度对多晶掺镱硒化锆(Yb-ZrSe)材料光电应用潜力的影响。阳离子前驱体为0.01 mol ZrOCl2·8H2O水溶液，阴离子前驱体通过将0.15 mol硒溶解于5 ml盐酸(HCl)制得，并添加0.05 mol Yb(NO3)3·5H2O作为掺杂剂。采用UV-1800可见分光光度计、布鲁克D8 Advance X射线衍射仪(Cu Kα射线λ=1.54056 ?，扫描范围2θ=10°–90°)及扫描电子显微镜对薄膜进行表征。FTO基底沉积薄膜的X射线衍射(XRD)分析显示，(111)、(200)、(200)和(210)晶面分别在27.00°、38.01°、46.02°和66.02°出现衍射峰，证实薄膜具有多晶结构。(SEM)观察表明晶粒在基底表面均匀分布。测得光学带隙能量为1.57 eV。