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用于TDD前端的低损耗毫米波收发组合器合成技术
摘要: 时分双工(TDD)收发(T/R)毫米波(mm-wave)前端包含功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、天线开关以及相应的无源匹配与合路网络。本文提出一种综合设计方法,通过将PA输出匹配网络、LNA输入匹配网络与T/R开关整合为统一网络来最小化整体损耗。该技术提升了毫米波收发机在PA效率和LNA噪声系数方面的性能。所提出的T/R合路器可实现高线性度并处理大PA输出电压摆幅。该架构适用于任何具备高集成能力的工艺平台。采用45nm绝缘体上硅CMOS工艺实现了Ka波段方案,包含基于四堆叠结构的高功率PA和基于电感源极退化的共源共栅LNA。该前端中PA实现23.6dBm饱和输出功率与28%的峰值功率附加效率,LNA噪声系数为3.2dB。芯片总面积(含焊盘)为0.54平方毫米。
关键词: 发射/接收(T/R)开关、低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA)、5G发射机、堆叠式功率放大器、绝缘体上硅(SOI)、时分双工(TDD)、互补金属氧化物半导体(CMOS)、毫米波(mm-wave)、Ka波段
更新于2025-09-04 15:30:14