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自修复良性晶界及高缺陷Sb?Se?-CdS界面层在Sb?Se?薄膜光伏器件中的证据
摘要： Sb2Se3的晶体结构赋予了其独特性能，这是传统薄膜光伏材料（如CdTe或Cu(In,Ga)Se2）无法实现的。先前有观点认为，只要破坏(Sb4Se6)n带状结构间微弱的范德华力，晶界就能呈现良性特性。最新研究表明，即使切割(Sb4Se6)n带状结构的晶界也能抑制非辐射复合现象，这源于一种卓越的自愈过程——晶界原子通过弛豫作用消除带隙内的电子缺陷态。但由于载流子在(Sb4Se6)n带状结构上具有更高迁移率，晶界仍会阻碍电荷传输。特定取向错位的晶界甚至能有效阻隔电荷收集。此外研究发现，由于Sb与Se的相互扩散，CdS不适合作为Sb2Se3的发射极材料，这种组合会形成高缺陷密度的Sb2Se3界面层，可能通过界面复合效应降低器件效率。
关键词： Sb2Se3-CdS界面、晶界弛豫、晶粒织构、柯肯达尔空位、Sb2Se3光伏器件
更新于2025-09-19 17:13:59
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掺镧BiVO4的动态力学与电学行为
摘要： 钒酸铋（BiVO4）是一种应用广泛的重要半导体材料，但其基本动态行为仍缺乏深入认知。为解决这一问题，我们采用结构、内耗（IF）、模量、介电及阻抗谱的综合分析方法，系统揭示了一系列Bi1-xLaxVO4陶瓷（0 ≤ x ≤ 0.15）的动态力学与电学行为。通过精密力学测量，我们在Bi1-xLaxVO4陶瓷中观测到五个内耗峰、对应的模量异常及高温蠕变行为。通过分析相关动力学参数、缺陷形成与演化过程，建立了包含四个阶段的铁弹畴复杂演化模型，并阐明了晶界弛豫的起源。电学实验显示低温与高温区分别存在两种显著不同的激活过程。结合结构与力学表征，证实433-633K区间以混合电子/氧离子传导为主，经633-673K的结构转变后，在更高温度（673-833K）呈现复杂的缺陷传导机制。本研究为深入理解BiVO4基材料的基本动态行为及其实际应用拓展奠定了基础。
关键词： 钒酸铋、动态力学行为、电学行为、铁弹畴、晶界弛豫、电导机制、BiVO4、镧掺杂
更新于2025-09-09 09:28:46