基于最大熵原理的改进型二维-三维电荷传输模型

摘要： 为研究金属氧化物场效应晶体管中数十纳米长沟道内的电子输运特性，为降低模拟计算的复杂度，可将电子划分为二维与三维两类群体。在硅/氧化物界面附近二者共存，而在器件其余区域由于量子效应可忽略，仅需考虑三维电子组分。核心难题在于描述二维与三维电子群体间因与非极性光学声子及界面模式相互作用产生的散射机制。本文基于Fischetti和Laux（《物理评论B》第48卷2244-2274页，1993年）提出的方法，在蒙特卡洛模拟框架下对这些碰撞过程进行严格处理，同时考虑了与声学声子、表面粗糙度及杂质的所有主要散射作用。